四頻段開關(guān)+脈沖跳躍！意法半導(dǎo)體推出車規(guī)級(jí)6A大電流穩(wěn)壓器

意法半導(dǎo)體推出車規(guī)級(jí)同步降壓轉(zhuǎn)換器DCP0606Y，在3mm×2mm封裝內(nèi)集成高低邊MOSFET與全保護(hù)電路，實(shí)現(xiàn)0.6V/6A低壓大電流輸出。該方案通過(guò)四頻段可調(diào)開關(guān)（1.8/2.25/3.5/4MHz）與脈沖跳躍技術(shù)，攻克車規(guī)電源三大痛點(diǎn)：ADAS芯片的μs級(jí)瞬態(tài)響應(yīng)、座艙顯示的EMI敏感區(qū)穿透、攝像頭模組的150℃高溫穩(wěn)幅，為智能駕駛電源設(shè)計(jì)提供原子級(jí)解決方案。

2025-07-09

200kHz開關(guān)頻率破局！Wolfspeed聯(lián)合恩智浦推出牽引逆變器解決續(xù)航焦慮

Wolfspeed與恩智浦（NXP）聯(lián)合推出業(yè)界首款經(jīng)過(guò)全面驗(yàn)證的800V牽引逆變器參考設(shè)計(jì)，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入關(guān)鍵技術(shù)動(dòng)能。面對(duì)汽車行業(yè)加速向零排放轉(zhuǎn)型的需求，該設(shè)計(jì)通過(guò)集成動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度調(diào)節(jié)技術(shù)與碳化硅（SiC）功率模塊，直擊效率提升、功能安全及長(zhǎng)期可靠性三大核心痛點(diǎn)，助力車企快速開發(fā)出性能媲美甚至超越燃油車的差異化電動(dòng)車型。

2025-07-09

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器核心技術(shù)全景：安全、能效與國(guó)產(chǎn)破局路徑

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器作為電力電子系統(tǒng)的核心接口器件，通過(guò)電氣隔離技術(shù)將控制信號(hào)（低壓域）與功率開關(guān)（高壓域）安全耦合。其核心原理是利用電容隔離（如TI的SiO?介質(zhì)層）、磁隔離（變壓器耦合）或光隔離（光電耦合器）構(gòu)建絕緣屏障，阻斷高達(dá)10kV的瞬態(tài)高壓沖擊，同時(shí)傳遞精確的PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)。在SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體普及的背景下，其價(jià)值已從基礎(chǔ)“信號(hào)中轉(zhuǎn)站”升級(jí)為高頻開關(guān)穩(wěn)定器與系統(tǒng)安全守護(hù)者。

2025-07-08

告別電壓應(yīng)力難題：有源鉗位助力PSFB效率突破

相移全橋（PSFB）轉(zhuǎn)換器因其能在初級(jí)側(cè)開關(guān)管上實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)（降低開關(guān)損耗），成為高功率應(yīng)用（如服務(wù)器電源、工業(yè)電源、通信電源）的主流拓?fù)?。然而，傳統(tǒng)的PSFB存在一個(gè)顯著痛點(diǎn)：變壓器漏感（Lr）與輸出整流器（特別是同步整流管MOSFET）的寄生電容（Coss）諧振，會(huì)導(dǎo)致次級(jí)側(cè)產(chǎn)生嚴(yán)重的電壓振鈴和尖峰。此尖峰電壓理論上可達(dá) 2 × VIN × (NS/NP)，迫使設(shè)計(jì)者選用更高耐壓的整流器件，而高耐壓器件通常伴隨更高的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和輸出電容（Coss），直接制約了轉(zhuǎn)換器效率的進(jìn)一步提升。傳統(tǒng)解決方案是在整流器兩端并聯(lián)電阻-電容-二極管（RCD）無(wú)源鉗位電路，但這會(huì)將諧振能量以熱的形式耗散掉，犧牲了效率。

2025-07-01

MHz級(jí)電流測(cè)量突破：分流電阻電感補(bǔ)償技術(shù)解密

在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）驅(qū)動(dòng)的ns級(jí)開關(guān)場(chǎng)景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測(cè)量的首要瓶頸。實(shí)測(cè)表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產(chǎn)生＞38%電壓過(guò)沖，導(dǎo)致1MHz頻點(diǎn)測(cè)量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測(cè)試數(shù)據(jù)），嚴(yán)重制約車載電控、射頻功放等對(duì)DC-3MHz帶寬、±1%精度要求的應(yīng)用。本文提出基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）的頻響建模技術(shù)，通過(guò)精準(zhǔn)量化寄生參數(shù)（Lp/Cp），并設(shè)計(jì)臨界阻尼RC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，將1MHz測(cè)量誤差壓縮至＜1%、過(guò)沖抑制＞90%，單方案成本＜$0.1，為高可靠性功率系統(tǒng)提供底層保障。

2025-07-01

3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)

當(dāng)10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號(hào)總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開關(guān)電源的百mV級(jí)紋波、LDO基準(zhǔn)源的μV級(jí)噪聲，甚至PCB地彈效應(yīng)，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類電源噪聲（低頻紋波/高頻開關(guān)/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)的七重凈化方案，助您將電源噪聲壓至<3μV RMS。

2025-06-30

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-06-26

μV級(jí)精度保衛(wèi)戰(zhàn)：信號(hào)鏈電源噪聲抑制架構(gòu)全解，拒絕LSB丟失！

在精密測(cè)量、醫(yī)療儀器及工業(yè)傳感系統(tǒng)中，信號(hào)鏈的μV級(jí)精度直接決定系統(tǒng)性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態(tài)吞噬ADC/DAC的有效位數(shù)——當(dāng)1mV電源紋波可導(dǎo)致12位ADC丟失4個(gè)LSB時(shí)，電源架構(gòu)選型便成為精度保衛(wèi)戰(zhàn)的核心戰(zhàn)場(chǎng)。本文從噪聲頻譜與拓?fù)浔举|(zhì)出發(fā)，拆解LDO、開關(guān)電源及混合架構(gòu)的噪聲基因，并通過(guò)多場(chǎng)景實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，揭示高精度信號(hào)鏈的電源設(shè)計(jì)法則。

2025-06-19

如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？

在開關(guān)模式電源（SMPS）中使用氮化鎵（GaN）技術(shù)時(shí)，盡管其在高功率密度、高頻開關(guān)和低功耗方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，但也面臨一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。

2025-06-10

不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？

氮化鎵（GaN）器件因其高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗的特性，正在快速滲透消費(fèi)電子、汽車電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。然而，不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領(lǐng)域的LLC諧振拓?fù)湫枰哳l率下的電磁干擾控制，而車載雙向逆變器更關(guān)注動(dòng)態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓?fù)洹㈦p向逆變拓?fù)?、多電平拓?fù)浼捌囍黩?qū)模塊中的氮化鎵技術(shù)痛點(diǎn)，揭示材料特性與系統(tǒng)設(shè)計(jì)間的矛盾性關(guān)系。

2025-06-10

集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/a>

多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？

在電力電子系統(tǒng)中，多通道同步驅(qū)動(dòng)的死區(qū)時(shí)間直接影響系統(tǒng)效率和安全性。傳統(tǒng)方案常面臨時(shí)序誤差累積（±10ns以上）、開關(guān)損耗高（占系統(tǒng)總損耗15%-25%）和模式切換不靈活等痛點(diǎn)。納米級(jí)死區(qū)調(diào)控技術(shù)通過(guò)硬件架構(gòu)革新與智能算法協(xié)同，將控制精度提升至亞納秒級(jí)，為新能源汽車、高頻電源等場(chǎng)景提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。本文將深入解析其實(shí)現(xiàn)路徑與產(chǎn)業(yè)突破方向。

2025-06-10