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汽車電池產(chǎn)業(yè)關(guān)注“碳酸鋰”
2010年重點低碳行業(yè)關(guān)注的一個焦點是動力電池。短期新能源汽車政策執(zhí)行情況決定鎳氫電池產(chǎn)銷規(guī)模，未來技術(shù)的突破將決定鋰電池應(yīng)用進度，稀缺的上市公司標的蘊藏不容忽視的投資機會。
2010-06-23
汽車 電池 “碳酸鋰”
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信號速率與線纜長度的關(guān)系
致力于CAN通信的設(shè)計人員遇到種種挑戰(zhàn)，往返信號傳輸成為一個重要的考慮因素。本文介紹信號速率與線纜長度的關(guān)系，解決了傳輸速率和長度的關(guān)系，信號的往返將不再是問題。
2010-06-23
信號速率 線纜 CAN通信
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差分信號線布線的優(yōu)點和布線策略
布線非?？拷牟罘中盘枌ο嗷ブg也會互相緊密耦合，這種互相之間的耦合會減小EMI發(fā)射，差分信號線的主要缺點是增加了PCB的面積，本文介紹電路板設(shè)計過程中采用差分信號線布線的布線策略。
2010-06-23
差分信號線 布線 PCB 高速設(shè)計
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多晶硅錠制造技術(shù)
用于制造太陽能硅片的多晶硅錠的生長是一個相當復(fù)雜的工藝。硅錠生長工藝的目標在于優(yōu)化硅錠合格率.因此生長工藝需要進行嚴格監(jiān)控，并需對定向凝固爐在結(jié)晶工藝期間的無數(shù)種變量加以有效控制。本文簡述多晶硅錠的制造技術(shù)
2010-06-23
多晶硅錠 凝固工藝 線切割 凝固爐
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新材料對測量技術(shù)的挑戰(zhàn)
在談及芯片技術(shù)進步時，除了不斷縮小的技術(shù)節(jié)點，新材料的采用往往可以另辟蹊徑。目前談?wù)撦^多的是高k介質(zhì)、金屬柵、低k材料等，其它一些較為冷門的材料，如碳納米管、石墨稀、二嵌段共聚物等也開始進入人們的視野。越是新興的物質(zhì)越難以捉摸和測量，這就要求測量技術(shù)能夠“與時俱進”。本文對新材料...
2010-06-23
新材料 測量技術(shù) 3D集成 硅通孔技術(shù)
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日置即將推出最新IM3570阻抗分析儀
即將發(fā)售的阻抗分析儀IM3570是測量頻率4Hz~5MHz，測試電平5mV~5V的LCR電橋與阻抗分析儀合二為一的儀器。因為對應(yīng)不同測量條件都能高速連續(xù)測量，所以在需要使用眾多儀器檢查的生產(chǎn)線上，僅IM3570一臺便可實現(xiàn)。
2010-06-23
日置 IM3570 阻抗分析儀
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半導(dǎo)體制造晶圓檢測技術(shù)分析
半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏取１疚慕榻B晶圓檢測方法進展，有效方式識別與良率相關(guān)的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進到更加先進的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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