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日本應(yīng)用物理學(xué)會：東工大硅量子點(diǎn)太陽能電池取得新進(jìn)展
東京工業(yè)大學(xué)教授小長井誠研究小組，大幅提高了利用硅量子點(diǎn)的太陽能電池的開放電壓（Voc）及I-V特性形狀因子（FF）數(shù)值。2010年3月10日，該消息是在應(yīng)用物理學(xué)會舉行的2010年春季應(yīng)用物理學(xué)會學(xué)術(shù)演講會的會前新聞發(fā)布會上宣布的。
2010-03-16
日本 應(yīng)用物理 硅量子點(diǎn) 太陽能 電池
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ABB為中國太陽能發(fā)電提供技術(shù)支持
近日，全球領(lǐng)先的電力和自動化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國太陽能開發(fā)利用，為提升國家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。
2010-03-15
ABB 太陽能 發(fā)電 新能源 可再生能源
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怎樣辨別視頻線的好壞
本文主要介紹視頻線的目測外觀鑒別，傳輸性能測試
2010-03-15
視頻線 電纜 SYV電纜
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時，基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動的,消費(fèi)者是真正的推動力?，F(xiàn)在半導(dǎo)體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備，比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品，才能促...
2010-03-15
應(yīng)用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻
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元件價格走勢更新，商品IC供應(yīng)保持緊張
這是指在可預(yù)見的將來，庫存將保持精簡。許多供應(yīng)商對于目前的庫存水平感到非常滿意，盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應(yīng)鏈節(jié)點(diǎn)庫存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(wù)(EMS)提供商的庫存出現(xiàn)增長。
2010-03-12
元件 價格 走勢 IC供應(yīng) 緊張
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iSuppli預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體營收達(dá)2797億美元
據(jù)iSuppli公司預(yù)測，2010年全球半導(dǎo)體營業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2797億美元，雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%，但與2008年的2589億美元相比僅增長8%，而與2007年的2734億美元相比，增長率只有區(qū)區(qū)的2.3%。
2010-03-12
iSuppli 半導(dǎo)體 營業(yè)收入 反彈
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