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一種混合信號(hào)實(shí)現(xiàn)LED降壓升壓驅(qū)動(dòng)電路
針對(duì)照明應(yīng)用的大功率LED要采用恒流源驅(qū)動(dòng)，一些標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流常常用在不同LED生產(chǎn)商的產(chǎn)品中，其中，350mA和700 mA最為常見。根據(jù)串聯(lián)結(jié)的類型和數(shù)量，LED兩端的正向壓降可能不同。許多生產(chǎn)廠商的大功率LED產(chǎn)品都在單個(gè)模塊中集成了多個(gè)結(jié)。
2011-08-12
LED 降壓升壓 驅(qū)動(dòng)電路 開關(guān)電源
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針對(duì)移動(dòng)電話的閃光燈LED驅(qū)動(dòng)器
LED 已經(jīng)成為移動(dòng)電話中電影照明和相機(jī)閃光燈的標(biāo)準(zhǔn)解決方案。對(duì)于更高畫質(zhì)和更高分辨率的需求，要求更亮的閃光燈 LED 解決方案。所面臨的挑戰(zhàn)是如何通過實(shí)現(xiàn)最高效率的解決方案來從電池中擠壓出最佳的光通量。這樣一來，從電池吸收大電流的運(yùn)行，要求具備許多省電運(yùn)行特性以及一種穩(wěn)健的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。...
2011-08-12
德州儀器 閃光燈 LED驅(qū)動(dòng)器 閃光燈驅(qū)動(dòng)器
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“量增價(jià)跌”確立光伏市場加速進(jìn)入中國時(shí)間
光伏產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷著深層次的變革，無論是生產(chǎn)工藝、轉(zhuǎn)換效率和商業(yè)模式都在進(jìn)行著新一輪的創(chuàng)新和變化。估計(jì)隨著國內(nèi)市場的啟動(dòng)，“光伏中國制造”將變?yōu)椤肮夥袊鴳?yīng)用”，無論是依賴進(jìn)口的硅材料、切割鋼絲、銀漿、背板還是占據(jù)主導(dǎo)地位的鋁漿、鋼化玻璃、接線盒，都將成為中國人的天下，進(jìn)而形成一個(gè)...
2011-08-12
量增價(jià)跌 光伏市場 多晶硅
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MOSFET的選型及應(yīng)用概覽
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)展，功率MOSFET更是備受關(guān)注。本期半月談將會(huì)從基礎(chǔ)開始，探討MOSFET的一些基礎(chǔ)知識(shí)，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等等；最...
2011-08-12
MOSFET 溝道 MOSFET選型 LED燈具驅(qū)動(dòng)
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AEM科技喜獲UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)
AEM科技（蘇州）股份有限公司于北京時(shí)間7月28日取得UL目擊實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)。這是中國大陸境內(nèi)第一家限流熔斷器生產(chǎn)商獲得本項(xiàng)資質(zhì)，將使AEM熔斷器新產(chǎn)品的UL認(rèn)證周期大大縮短，為加快研發(fā)成果商品化及高效服務(wù)客戶提供了便利。
2011-08-11
AEM UL 實(shí)驗(yàn)室
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基于RFID技術(shù)的LED路燈智能控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
本文應(yīng)用射頻識(shí)別（ Radio FrequencyIdentification ，RFID） 技術(shù)，結(jié)合設(shè)置在路面的讀寫裝置、安裝在車輛上的射頻標(biāo)簽，設(shè)計(jì)了一種LED 路燈自動(dòng)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)LED 路燈的智能開關(guān)，既能夠節(jié)約能源又可以有效減輕工作人員管理路燈系統(tǒng)的工作負(fù)擔(dān)
2011-08-11
RFID LED路燈 LED 射頻識(shí)別
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正確選擇鋰電池充電系統(tǒng)
在有些應(yīng)用中，較長的電池壽命、較多的充電次數(shù)或較安全的電池比電池容量更重要。本文介紹幾種可以極大延長電池壽命的鋰離子電池充電和放電方法。
2011-08-11
鋰離子電池 電池 電池壽命
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影響絕緣電阻測量值的主要因素
在電氣設(shè)備檢驗(yàn)中，絕緣電阻是安全性能一項(xiàng)非常重要的檢驗(yàn)項(xiàng)目。對(duì)其測量通常采用在被測絕緣體兩端施加恒定的直流電壓，測量其間流過的直流電流的大小和變化情況，以此判斷絕緣材料的優(yōu)劣。值得我們注意的是：絕緣電阻測量值不是一個(gè)恒定不變的數(shù)值，它易受外界諸多因素的影響而發(fā)生變化。
2011-08-11
絕緣電阻 測量 兆歐表 電壓
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度。
2011-08-11
MOSFET 溝道 溝槽式接觸 導(dǎo)通電阻
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