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低損耗、高結(jié)溫！基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點(diǎn)闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優(yōu)點(diǎn)。
2023-10-24
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電動汽車熱和集成挑戰(zhàn)
到目前為止，我們提到的每一種趨勢都帶來了獨(dú)特的技術(shù)挑戰(zhàn)。對于更高集成度的解決方案，主要挑戰(zhàn)在于創(chuàng)建節(jié)能解決方案。具體來說，隨著高性能組件之間的集成變得更加緊密，對熱密度的擔(dān)憂開始威脅到設(shè)備的可靠性。控制熱量需要高能效半導(dǎo)體，將少的功率轉(zhuǎn)化為熱量。因此，業(yè)界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半導(dǎo)體使 xBEV 電池?zé)o需充電即可使用更長時(shí)間，從而延長汽車的行駛里程。由于行程范圍非常重要，這反過來又提高了電動汽車在市場上的價(jià)值。
2023-09-27
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
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IGBT驅(qū)動芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。
2023-09-19
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如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器
所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運(yùn)行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時(shí)有著嚴(yán)格的要求。
2023-09-14
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過典型電路中的個(gè)樣本進(jìn)行了測量。
2023-09-06
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不同殼溫下SOA曲線的計(jì)算方法
安全工作區(qū)(SOA)定義為IGBT可以預(yù)期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件，分為正向偏置和反向偏置安全工作區(qū)（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA)定義了IGBT關(guān)斷期間的可用電流和電壓條件。在實(shí)踐中，SOA曲線是工程師的重要參考之一。工程師必須考慮到所有的極限工況，同時(shí)保證器件的工作時(shí)的參數(shù)都在SOA之內(nèi)。不僅需要在安全工作區(qū)域內(nèi)使用IGBT，而且還需要控制器件的工作溫度。
2023-08-23
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有效測量碳化硅信號
碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應(yīng)用，因?yàn)樗哂写蠊β氏到y(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統(tǒng)升級和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款IGBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求，并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個(gè) IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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BLDC 電機(jī)控制設(shè)計(jì)
在無刷電機(jī)中，電流反轉(zhuǎn)是通過微控制器控制的一組功率晶體管（通常是 IGBT）以電子方式獲得的。驅(qū)動它們的主要問題是了解電機(jī)的準(zhǔn)確位置；只有這樣控制器才能確定驅(qū)動哪一相。轉(zhuǎn)子的位置通常使用霍爾效應(yīng)傳感器或光學(xué)傳感器獲得。在效率方面，由于摩擦減少，無刷電機(jī)比同等交流電機(jī)產(chǎn)生的熱量少得多。
2023-08-17
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動？這款I(lǐng)C方案推薦給您
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-15
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電機(jī)控制設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識
軟件和硬件都是所有電機(jī)控制系統(tǒng)的一部分，例如 IGBT、WBG 半導(dǎo)體和 MCU。工業(yè)4.0的發(fā)展強(qiáng)烈依賴于電機(jī)控制，但能源消耗是一個(gè)關(guān)鍵問題，因?yàn)樗诳焖僭鲩L，并且需求隨著設(shè)計(jì)的復(fù)雜性而增長，因?yàn)樵S多電子技術(shù)都有嚴(yán)格的控制要求。寬帶隙 (WBG) 材料就是這種情況的一個(gè)例子。
2023-08-15
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