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SICK推出IMP High Pressure 液壓系統(tǒng)中的耐高壓電感式接近傳感器
電感式接近開(kāi)關(guān)IMP主要針對(duì)液壓系統(tǒng)內(nèi)部有耐高壓需求場(chǎng)合的金屬部件檢測(cè)而開(kāi)發(fā)，特別是液壓缸內(nèi)部需要直接與壓力油接觸的場(chǎng)合。針對(duì)這一典型應(yīng)用， IMP提供了極具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能。
2013-05-23
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基于TE mini array 的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
IC的集成度越來(lái)越高，但唯獨(dú) ESD 防護(hù)功能無(wú)法集成，卻變得更為敏感。因此對(duì)于IC的ESD防護(hù)也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護(hù)產(chǎn)品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)。
2013-05-23
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新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
高功率電平帶來(lái)更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-17
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SICK推出電容式接近開(kāi)關(guān)CM12
CM12電容式接近開(kāi)關(guān)針對(duì)各種非金屬測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測(cè)距離卻能達(dá)8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應(yīng)用范圍。
2013-05-16
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SICK推出新一代方型電感式接近開(kāi)關(guān)IQ08/10/12
新一代IQ 系列方型電感式接近開(kāi)關(guān)，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三種規(guī)格，在產(chǎn)品性能上繼續(xù)延續(xù)上一代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，還引入了多項(xiàng)技術(shù)以提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性應(yīng)對(duì)惡劣環(huán)境應(yīng)用。
2013-05-16
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Vicor零電壓DCDC轉(zhuǎn)換器 挑戰(zhàn)環(huán)境嚴(yán)苛、空間受限應(yīng)用
Vicor擴(kuò)展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉(zhuǎn)換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進(jìn)一步提升整個(gè)的模塊式方案的性能,適合嚴(yán)苛的，空間受限的工業(yè)和航空、國(guó)防應(yīng)用。
2013-05-15
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esd是什么意思？esd詳情解析
近年來(lái)隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展、微電子技術(shù)的廣泛應(yīng)用及電磁環(huán)境越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)靜電放電的電磁場(chǎng)效應(yīng)如電磁干擾（ＥＭＩ）及電磁兼容性（ＥＭＣ）問(wèn)題越來(lái)越重視。esd應(yīng)用可謂是越來(lái)越廣泛，ESD是代表英文ElectroStatic Discharge即"靜電放電"的意思。所以esd是值得我們好好學(xué)習(xí)的，現(xiàn)在我們就深入了解esd簡(jiǎn)介和esd常見(jiàn)概念及應(yīng)用。
2013-05-15
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VGA 是什么意思？
知道VGA 是什么意思嗎？VGA英文全稱Video Graphics Array，即視頻圖形陣列。是IBM在1987年隨PS/2機(jī)一起推出的一種視頻傳輸標(biāo)準(zhǔn)，具有分辨率高、顯示速率快、顏色豐富等優(yōu)點(diǎn)，在彩色顯示器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)在我們就深入了解VGA。
2013-05-15
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西部電子行業(yè)發(fā)展前沿 參觀注冊(cè)好禮相送
2013年6月20—22日，中國(guó)電子展（CEF）系列展覽之一的“2013中國(guó)（成都）電子展” (www.icef.com.cn )將在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心召開(kāi)。在20000平方米的展廳中，將匯集國(guó)內(nèi)外的600余家領(lǐng)軍企業(yè)參展，12場(chǎng)專(zhuān)業(yè)研討會(huì)和高峰論壇。
2013-05-13
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微波射頻電路及系統(tǒng)設(shè)計(jì)研討會(huì) 助力西部核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展 為西部RF、微波和高頻電路及系統(tǒng)行業(yè)策劃的新技術(shù)交流會(huì)
“2013成都高頻電路及系統(tǒng)技術(shù)研討會(huì)”（6月21日 成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心）如火如荼進(jìn)行中，此次會(huì)議與“2013中國(guó)成都電子展”同期舉辦。是由專(zhuān)注于微波、射頻、無(wú)線技術(shù)的行業(yè)門(mén)戶網(wǎng)站微波射頻網(wǎng)（MWRF.NET）和中國(guó)歷史最悠久、最權(quán)威的中國(guó)電子展組委會(huì)聯(lián)合主辦的，已開(kāi)通官方網(wǎng)站：http://www.mwrfexpo.com/2013/cd.shtml和www.icef.com.cn。
2013-05-13
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基于UCC27531的電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
德州儀器UCC27531單通道柵極驅(qū)動(dòng)器可以非?？拷娫撮_(kāi)關(guān)柵極放置。相比在一塊單IC中組合高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，它的靈活度更高，可幫助最小化驅(qū)動(dòng)器和電源開(kāi)關(guān)之間的電感，并讓設(shè)計(jì)人員能夠更好地控制開(kāi)關(guān)柵極。
2013-05-09
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SiC BJT：比同類(lèi)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個(gè)替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開(kāi)關(guān)頻率，傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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