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新曄集團(tuán)攜手歐司朗開啟LED舞臺照明新視界
目前，各大LED企業(yè)加速布局LED舞臺照明領(lǐng)域，以搶占市場先機(jī)。除了中小LED照明企業(yè)之外，OSRAM、億光等照明巨頭也紛紛布局，啟動差異化競爭。
2018-08-07
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術(shù)
毫無疑問，微處理器的頻率可以通過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲器的性能而必須降低其頻率來維持計算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過對靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
2018-01-04
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基于 QDR-IV SRAM 實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計計數(shù)器 IP設(shè)計
網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計計數(shù)器。計數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時。數(shù)據(jù)包的到達(dá)會使多個不同的統(tǒng)計計數(shù)器發(fā)生更新；但一臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計計數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲技術(shù)的限制。
2017-09-28
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基于QDR-IV SRAM實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計計數(shù)器IP設(shè)計
網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計計數(shù)器。計數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù)，比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時。數(shù)據(jù)包的到達(dá)會使多個不同的統(tǒng)計計數(shù)器發(fā)生更新，但一臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計計數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲技術(shù)的限制。
2017-09-08
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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機(jī)的內(nèi)存。
2017-07-26
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串行和并行接口SRAM對比，誰才是未來的主力軍？
外置SRAM通常配有一個并行接口。考慮到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(jīng)（和仍在）使用SRAM的高性能（主要是緩存）應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。
2016-02-14
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對比串行與并行接口SRAM，誰才是未來的主流？
外置SRAM通常配有一個并行接口，考慮到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲器要求，選擇并行接口是必要的。對于已經(jīng)使用SRAM的高性能（主要是緩存）應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。
2016-01-12
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對比分析串行和并行接口SRAM，誰勝一籌？
基于SRAM應(yīng)用的存儲器，都選擇并行接口。而眾所周知外置SRAM都配有并行接口，于串行接口相比，并行接口擁有明顯的優(yōu)勢。對于使用SRAM高性能應(yīng)用而言，并行接口也比串行接口更具優(yōu)勢。
2015-11-04
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網(wǎng)友求助：數(shù)據(jù)總線波形異常原因在哪？
求助??！請教下有經(jīng)驗的各位，這個數(shù)據(jù)總線上的波形到底應(yīng)該是什么樣的，我這個板子上第二條數(shù)據(jù)總線上掛著4個芯片，分別是一個SRAM，雙口ram，一塊FPGA和一塊DSP，到底是什么問題導(dǎo)致數(shù)據(jù)總線出問題。
2015-05-12
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就是這么完美！在異步SRAM中速度和功耗“齊步走”
快速和低功耗在異步SRAM產(chǎn)品中，是兩個完全不同類型的產(chǎn)品。這兩種類型是兩個不同的系列，它具有自己獨特的特性、價格和優(yōu)勢。因此要想在快速異步SRAM中實現(xiàn)低功耗，或者在低功耗SRAM中實現(xiàn)快速存取速度，那簡直異想天開。但是本文就實現(xiàn)了這兩種特性的完美平衡，難道是天方夜譚嗎？
2015-01-27
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淺析以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA
當(dāng)可編程邏輯器件受到高能粒子的撞擊時，撞擊過程中產(chǎn)生的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，無法預(yù)測系統(tǒng)運行的狀態(tài)，從而引起整個系統(tǒng)失效。在航天設(shè)備中要嚴(yán)禁出現(xiàn)這種情況，這就需要更可靠更安全的可編程邏輯器件。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面存在更大的優(yōu)勢，可靠性更高。
2014-09-02
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LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器，高速低壓可靠
LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器——25ns最佳速度、3V以下低電壓、可在不同電壓下工作、無故障，用于其業(yè)界首款12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器，有助于實現(xiàn)更高性能的存儲。
2013-09-10
- 國產(chǎn)濾波技術(shù)突破：金升陽FC-LxxM系列實現(xiàn)寬電壓全場景覆蓋
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