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全球太陽能電池廠商最新排名將出爐
正值各知名分析機(jī)構(gòu)、專業(yè)期刊即將公布2008年全球太陽能電池廠商排名期間,從各家知名太陽能電池廠商所公布的產(chǎn)出來看,2008年第一大仍是以德國Q-Cells、第二名為薄膜廠First solar、國內(nèi)的尚德(Suntech)預(yù)計(jì)排名第三,而天威英利有機(jī)會(huì)擠身前10大。
2009-03-06
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S-5711ACSL/ANSL系列:精工展示可用作開關(guān)的新型傳感器IC
從1968年設(shè)立并生產(chǎn)機(jī)械表表殼開始,創(chuàng)建60多年來,精工技術(shù)有限公司(Seiko Instrument Inc.,SII)一直為社會(huì)提供每個(gè)時(shí)代所需的各樣的產(chǎn)品與服務(wù)。SII電子元器件的財(cái)產(chǎn),在于手表制造中培育出來的、實(shí)現(xiàn)小型、節(jié)能、細(xì)密化的技術(shù)和技能。在本次IIC-china上,精工展示了其“匠”的技術(shù)與產(chǎn)品。
2009-03-05
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STPSC806D/1006D:ST太陽能電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用SiC二極管
電源開關(guān)使用的普通硅二極管因?yàn)闊o法立即關(guān)斷而導(dǎo)致電源能效損失1%。意法半導(dǎo)體率先推出可在開關(guān)操作中降低能耗的碳化硅(SiC)二極管。
2009-03-02
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STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V,有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A)的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω(漏極電流為66A)的“STW77N65M5”。 此前,太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT,但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低,因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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方國健擔(dān)任BOSTON-POWER業(yè)務(wù)顧問
快速擴(kuò)展的新一代鋰離子電池供應(yīng)商Boston-Power公司宣布電子業(yè)知名業(yè)者方國健將擔(dān)任這家屢獲殊榮的便攜式電源創(chuàng)新企業(yè)的業(yè)務(wù)顧問。在新職位上,他將在業(yè)務(wù)發(fā)展、供應(yīng)鏈運(yùn)營和政府部門關(guān)系方面為Boston-Power提供協(xié)助。
2009-02-23
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STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
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德州儀器收購電源管理初創(chuàng)公司Ciclon
德州儀器(Texas Instruments Inc. )為了擴(kuò)大其模擬電源管理生產(chǎn)線,近日以未披露的價(jià)格收購了Ciclon半導(dǎo)體器件公司(Ciclon Semiconductor Device Corp.)。
2009-02-16
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E102Z:VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 ?55°C 到 +125°C 的溫度范圍內(nèi)提供達(dá)軍品級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的絕對(duì) TCR 值 (±0.2 ppm/°C),容差為 ±0.005% (50 ppm),在 +70oC 下工作 2000 小時(shí)的負(fù)載壽命穩(wěn)定性達(dá)到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符合EEE-INST-002規(guī)格和MIL-PRF 55182 軍用標(biāo)準(zhǔn),設(shè)計(jì)用于非常規(guī)環(huán)境條件,漂移極小,適用于軍事、航空和醫(yī)療應(yīng)用。
2009-02-13
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WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻,該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍(10-m 到 500-m)、較低的誤差(低至 ±0.5%)和低 TCR 值(低至 ±75 ppm/°C)。
2009-02-04
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J151:CIT RELAY & SWITCH公司20A繼電器系列
CIT RELAY & SWITCH 公司近日推出J151型系列繼電器,其額定電流在輸入電壓為277 Vac或28 Vdc時(shí)高達(dá)20A,輸入電壓125 Vac時(shí)為1/2 HP(功率)。線圈額定電壓范圍從6Vdc到220Vdc.當(dāng)觸點(diǎn)排列從單刀單擲(SPST)到四刀雙擲(4PDT),線圈額定電壓范圍為6到240 Vac。
2009-01-22
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美國第二大消費(fèi)電子產(chǎn)品零售商正式宣布破產(chǎn)
繼去年11月申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)后,上周末,美國第二大消費(fèi)電子產(chǎn)品零售商“電路城”(CircuitCityStoresInc.)正式宣布破產(chǎn),公司表示由于無法達(dá)成出售協(xié)議,截至今年3月底將關(guān)閉全美的567家連鎖店,屆時(shí),將有3萬多員工面臨失業(yè)。
2009-01-21
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DisplayPort規(guī)格的升級(jí)版2009年中期將面世
顯示器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)化團(tuán)體VESA(Video Electronics Standards Association,視頻電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì))制定的數(shù)字接口規(guī)格“DisplayPort”的升級(jí)版“v1.2”,將于2009年中期確定技術(shù)指標(biāo)。VESA在面向媒體的發(fā)布會(huì)上介紹了升級(jí)版的方向。現(xiàn)行規(guī)格為“v1.1a”。
2009-01-19
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
- 傳感器+AI+衛(wèi)星:貿(mào)澤電子農(nóng)業(yè)資源中心揭秘精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)“黑科技”
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- 薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
- 供需博弈加劇!Q1面板驅(qū)動(dòng)IC均價(jià)跌1%-3%
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