-
適用于下一代大功率應用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設計和易擴展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設計原理、開關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長模塊的使用壽命等關(guān)鍵點。
2022-12-05
-
用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
-
通過利用電化學診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
-
全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
-
如何使用UCC217XX實現(xiàn)高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅(qū)動器，可用于驅(qū)動碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高級保護功能，一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔離柵極驅(qū)動器的主要特性介紹有：
2022-11-10
-
IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
-
庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
-
高集成度功率電路的熱設計挑戰(zhàn)
目前隨著科學技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設計挑戰(zhàn)。
2022-10-28
-
IGBT驅(qū)動電路中的鉗位電路
在IGBT驅(qū)動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。
2022-10-21
-
自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
-
IGBT柵極驅(qū)動設計，關(guān)鍵元件該怎么選？
如果說人類世界當前面臨的最緊迫危機是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-12
-
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
- Supermicro DCBBS：重新定義數(shù)據(jù)中心，一站式實現(xiàn)速度、性能與能效的飛躍
- 速度覺醒！Crucial 英睿達 DDR5 Pro OC 游戲內(nèi)存發(fā)布，幀率提升高達25%
- 單芯片決勝智能互聯(lián)：Microchip新品MCU發(fā)布
- 貿(mào)澤電子三季度重磅上新：瑞薩、Arduino、博世等廠商新品速遞
- 強強聯(lián)合！天鈺科技攜手世強硬創(chuàng)，共拓輕量級AI應用市場
- 從華強北到全球焦點：聞泰科技的崛起與博弈困局
- 法國高速公路實現(xiàn)“邊開邊充”，電動貨車動態(tài)充電技術(shù)取得突破
- 全線就緒！中國電子智能制造示范線即將揭幕
- 意法半導體公布2025年第三季度財報
- 連續(xù)四季度執(zhí)行力提升，英特爾加碼AI與代工謀長遠發(fā)展
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
