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降本增效新路徑：海翔科技賦能二手Prevos與Selis刻蝕設(shè)備的高品質(zhì)復(fù)用
在半導(dǎo)體制造向3D NAND超高層堆疊與先進邏輯GAA架構(gòu)演進的關(guān)鍵階段，高深寬比通道刻蝕與納米級高選擇性蝕刻已成為突破存儲密度極限與構(gòu)建復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)的核心工藝瓶頸。泛林半導(dǎo)體（Lam Research）旗下的Prevos與Selis系列刻蝕設(shè)備，分別憑借Cryo 3.0低溫蝕刻技術(shù)與自由基/熱蝕刻雙重能力，以原子級精度和卓越的輪廓穩(wěn)定性，成為支撐400層以上3D NAND及先進制程芯片量產(chǎn)的基石。然而，隨著產(chǎn)業(yè)對成本控制需求的日益迫切，二手高端設(shè)備的合規(guī)流通與復(fù)用已成為行業(yè)降本增效的重要路徑。面對這一趨勢，海翔科技依托深厚的運維積淀，嚴(yán)格對標(biāo)SEMI行業(yè)規(guī)范及《進口舊機電產(chǎn)品檢驗監(jiān)督管理辦法》，構(gòu)建了涵蓋拆機評估、整機檢測到現(xiàn)場驗機的全流程質(zhì)量管控體系。本文旨在系統(tǒng)闡述該體系針對Prevos與Selis系列設(shè)備的技術(shù)實施規(guī)范，深入解析如何通過標(biāo)準(zhǔn)化的拆解標(biāo)記、精密的部件損耗分析及多維度的性能驗證，確保二手核心裝備在復(fù)用過程中依然具備原廠級的工藝穩(wěn)定性與安全合規(guī)性，為半導(dǎo)體產(chǎn)線的持續(xù)升級提供堅實的技術(shù)保障。
2026-02-28
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一顆NOR，撐起AI耳機、ADAS與HBM4服務(wù)器的底層信任
在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域，NOR Flash雖不如DRAM或NAND Flash廣為人知，卻憑借其“芯片內(nèi)執(zhí)行”（XIP）、高可靠性、快速啟動和長數(shù)據(jù)保留等獨特優(yōu)勢，在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI終端及AI服務(wù)器等關(guān)鍵場景中扮演著不可替代的角色。從上世紀(jì)80年代誕生至今，NOR Flash已從功能機固件存儲走向智能時代的高性能剛需元件。尤其在AI與自動駕駛浪潮推動下，其市場需求激增、價格上揚，并催生本土MCU企業(yè)加速布局“MCU+存儲”生態(tài)。與此同時，3D NOR Flash技術(shù)的突破更將存儲密度與性能推向新高度，為行業(yè)打開全新成長空間。
2026-02-12
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從IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技術(shù)的創(chuàng)新與突破
ONFI作為閃存控制器與NAND顆粒的關(guān)鍵接口協(xié)議，其技術(shù)水平直接決定存儲系統(tǒng)競爭力。奎芯科技深耕ONFI IP領(lǐng)域，以領(lǐng)先技術(shù)規(guī)格、全場景工藝覆蓋及Chiplet架構(gòu)戰(zhàn)略布局構(gòu)建核心優(yōu)勢，下文將圍繞其價值、技術(shù)亮點、生態(tài)能力及戰(zhàn)略規(guī)劃，展現(xiàn)奎芯在高速存儲接口領(lǐng)域的硬核實力，為多領(lǐng)域應(yīng)用提供核心支撐。
2026-01-27
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硬核實力賦能存儲升級——奎芯科技ONFI IP技術(shù)解析
身處AI與高性能計算的浪潮中，數(shù)據(jù)存儲吞吐量面臨明顯瓶頸，而ONFI（Open NAND Flash Interface）作為連接閃存控制器與NAND顆粒的關(guān)鍵高速接口協(xié)議，其IP方案正是保障大規(guī)模數(shù)據(jù)高效存取、撐起SSD及各類先進存儲系統(tǒng)的核心技術(shù)基石?？究萍忌罡鸒NFI IP領(lǐng)域，憑借行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)規(guī)格、全工藝節(jié)點覆蓋能力及Chiplet架構(gòu)下的戰(zhàn)略布局，構(gòu)建起差異化競爭優(yōu)勢，為存算一體、企業(yè)級SSD等多領(lǐng)域應(yīng)用提供高性能、高可靠的定制化存儲接口解決方案。
2026-01-19
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NAND Flash位翻轉(zhuǎn)是什么？一文讀懂其原理與應(yīng)對
設(shè)備運行中的“間歇性故障”往往令人困惑——開機異常、程序紊亂，可重新燒錄固件后一切又恢復(fù)正常。當(dāng)這樣的問題與NAND Flash存儲介質(zhì)相遇時，“位翻轉(zhuǎn)”這一易被忽視的技術(shù)現(xiàn)象，很可能就是幕后根源。本文將從NAND Flash的工作原理切入，清晰闡釋位翻轉(zhuǎn)的本質(zhì)、誘發(fā)因素，進而聚焦ECC校驗這一核心解決方案，并結(jié)合ZLG致遠(yuǎn)電子M3352核心版的實踐案例，帶您了解如何應(yīng)對此類存儲相關(guān)故障。
2025-12-16
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三星發(fā)布NAND閃存重大突破：新結(jié)構(gòu)功耗直降96%，重塑AI數(shù)據(jù)中心未來
近日，三星電子宣布在存儲技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，其研發(fā)團隊成功開發(fā)出一種新型NAND閃存結(jié)構(gòu)，可將功耗降低超過90%。這一成果有望徹底改變?nèi)斯ぶ悄軘?shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及其他依賴存儲芯片的終端產(chǎn)品的未來發(fā)展路徑。
2025-11-28
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NAND價格飆升沖擊下游，手機廠商被迫“降容”應(yīng)對
近期，全球閃存市場迎來新一輪價格調(diào)整，閃迪（SanDisk）作為行業(yè)巨頭率先行動，在11月宣布大幅上調(diào)NAND閃存合約價格，漲幅高達(dá)50%。這一舉措遠(yuǎn)超市場預(yù)期，成為今年以來的第三次漲價。此前，閃迪已在4月和9月分別執(zhí)行了10%的普漲政策。與此同時，美光、三星等存儲大廠也紛紛跟進，進一步加劇了市場的波動。
2025-11-11
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鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會議上展示了這項3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)3（在進一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用）。
2025-02-24
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進入當(dāng)打之年，憑借性能、壽命、容量和價格極致性價比的特性，配合主控和固件糾錯能力和算法方案的日漸成熟，進入到消費級SSD和企業(yè)級SSD主戰(zhàn)場，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費級和企業(yè)級QLC SSD，進入商用。
2023-12-11
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漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然為SSD/嵌入式存儲中的主力NAND顆粒，但QLC開始登上舞臺，發(fā)起挑戰(zhàn)，和2016年那時的自己相比，QLC實力大增。NAND家族，從老大SLC開始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，發(fā)揮自身優(yōu)勢，克服自身不足，一代代傳承下來，扛起家族事業(yè)的重任。
2023-11-30
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漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結(jié)構(gòu)上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實現(xiàn)閃存容量的提升，并隨著堆疊層數(shù)的增加優(yōu)化成本，繼而適應(yīng)市場需求；其二是邏輯上，提升存儲單元存儲的位數(shù)，即由僅能存儲1位數(shù)據(jù)的SLC，到存儲2位數(shù)據(jù)的MLC，直到如今能存儲4位數(shù)據(jù)的QLC，通過這種方式，提升閃存存儲容量優(yōu)化成本。
2023-11-28
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利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲問題
隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對極端環(huán)境需求的足夠固態(tài)存儲解決方案的挑戰(zhàn)仍然存在。幸運的是，NAND存儲介質(zhì)和控制器設(shè)計的發(fā)展意味著現(xiàn)在有更可靠和更具成本效益的選擇。
2022-10-31
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