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上網(wǎng)本逆勢(shì)擴(kuò)張 向高端化發(fā)展
如今的市場(chǎng)狀況對(duì)于各大PC廠商而言可謂挑戰(zhàn)重重，在面臨國(guó)際金融危機(jī)帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)低迷、市場(chǎng)需求乏力的同時(shí)，更要面臨原材料、人力成本的上漲帶來(lái)的雙重壓力。受經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響，在如今筆記本電腦市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力的時(shí)候，上網(wǎng)本(NetBook)成為筆記本市場(chǎng)上一道靚麗的風(fēng)景線。市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IDC公司預(yù)計(jì)，200...
2009-02-26
上網(wǎng)本 金融危機(jī) IDC 華碩 海爾 惠普 PC
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STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開(kāi)發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...
2009-02-25
MOSFET 太陽(yáng)能電池 功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5
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意法半導(dǎo)體將集中精力增現(xiàn)金流
2009年，意法半導(dǎo)體將繼續(xù)集中精力增長(zhǎng)現(xiàn)金流，保持強(qiáng)大而靈活的資本結(jié)構(gòu)
2009-02-25
意法半導(dǎo)體 資金
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大眾攜手東芝開(kāi)發(fā)電動(dòng)車(chē)
近日，德國(guó)大眾汽車(chē)與日本東芝公司就合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)達(dá)成一致。 東芝公司表示，該公司已與大眾在德國(guó)簽署合作備忘錄，共同開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力系統(tǒng)和附屬電子部件，雙方還有意合作開(kāi)發(fā)新一代電動(dòng)車(chē)用高能源密度電池。
2009-02-25
電動(dòng)汽車(chē) 東芝 大眾 三洋 鋰電池
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HV8 ：Freescale新一代LDMOS射頻功率晶體管
飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出其下一代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿(mǎn)足蜂窩發(fā)射器降低功耗的迫切需求。
2009-02-24
Freescale 射頻 晶體管
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安徽首個(gè)非晶硅太陽(yáng)能光伏發(fā)電示范工程年內(nèi)運(yùn)營(yíng)
據(jù)報(bào)道，2月12日，安徽省首個(gè)非晶硅太陽(yáng)能光伏發(fā)電示范工程項(xiàng)目建設(shè)條件已全部得到落實(shí)，將于年內(nèi)在蚌埠市竣工運(yùn)營(yíng)。根據(jù)設(shè)計(jì)，該工程投資131.5萬(wàn)元，發(fā)電總?cè)萘繛?兆瓦.
2009-02-23
非晶硅太陽(yáng)能 光伏電站
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東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達(dá)36%
面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開(kāi)發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達(dá)到了36%。發(fā)光波長(zhǎng)為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。
2009-02-23
近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶
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方國(guó)健擔(dān)任BOSTON-POWER業(yè)務(wù)顧問(wèn)
快速擴(kuò)展的新一代鋰離子電池供應(yīng)商Boston-Power公司宣布電子業(yè)知名業(yè)者方國(guó)健將擔(dān)任這家屢獲殊榮的便攜式電源創(chuàng)新企業(yè)的業(yè)務(wù)顧問(wèn)。在新職位上，他將在業(yè)務(wù)發(fā)展、供應(yīng)鏈運(yùn)營(yíng)和政府部門(mén)關(guān)系方面為Boston-Power提供協(xié)助。
2009-02-23
鋰離子電池 電源管理 BOSTON-POWER Sonata 筆記本電腦
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STx42N65M5：ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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