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揭曉ADC的“前世今生”：RF采樣ADC給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器充當(dāng)現(xiàn)實(shí)模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個(gè)機(jī)架空間并消耗大量電能（例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W）的分立元件起步，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。
2019-09-09
ADC RF采樣
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熱失控保護(hù)
熱失控對(duì)電子設(shè)備的威脅日益加劇，原因在于電子設(shè)備中越來(lái)越大的功率被壓縮于愈加緊湊的空間 當(dāng)中；傳統(tǒng)方法無(wú)法妥善應(yīng)對(duì)這種威脅。SMD溫度保險(xiǎn)絲提供了一種解決方案，可實(shí)現(xiàn)260°C回流 焊，又能在達(dá)到210°C時(shí)熔斷。
2019-09-09
熱失控保護(hù) 溫度保險(xiǎn)絲
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MOSFET Qrr—在追求能效時(shí)，忽視這一參數(shù)是危險(xiǎn)的
在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)引起一些重大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師需要仔細(xì)處理。在低功耗充電器和適配器產(chǎn)品應(yīng)用中，其開關(guān)頻率高且負(fù)載電流一般小于5A，對(duì)I2R損耗的關(guān)注較少，設(shè)計(jì)工程師應(yīng)密切關(guān)注動(dòng)態(tài)損耗。選擇低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI輻射。
2019-09-09
MOSFET EMI輻射
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干貨：步進(jìn)電機(jī)噪聲、振動(dòng)的抑制
當(dāng)驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)處于靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其內(nèi)部依然發(fā)出很明顯的噪音，有點(diǎn)類似線圈快速變化那種，一般是由于線圈電流過(guò)大導(dǎo)致的。
2019-09-06
步進(jìn)電機(jī) 噪聲 振動(dòng)
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【技術(shù)解析】晶振旁邊接的兩個(gè)電容是起什么作用？
關(guān)于晶振旁邊的兩個(gè)電容起到的作用，有人說(shuō)是負(fù)載電容，是用來(lái)糾正晶體的振蕩頻率用的;有人說(shuō)是啟振電容;有人說(shuō)起諧振作用的。
2019-09-06
晶振 電容
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直播邀約：福祿克振動(dòng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)方案及產(chǎn)品線介紹
在這里還有驚喜互動(dòng)禮品等著您：現(xiàn)場(chǎng)申請(qǐng)預(yù)約演示的前10位用戶可獲得飛利浦多孔魔方插線板。
2019-09-05
福祿克 監(jiān)測(cè)
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無(wú)需光耦合器的反激式轉(zhuǎn)換器：現(xiàn)有選項(xiàng)
反激式轉(zhuǎn)換器通常用于需要對(duì)電源電壓進(jìn)行電氣隔離并且傳輸功率相對(duì)較低的應(yīng)用中。輸出功率低于60 W時(shí)通常采用反激式轉(zhuǎn)換器。
2019-09-04
光耦合器 反激式轉(zhuǎn)換器
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高速通信領(lǐng)域的混頻器和調(diào)制器分析
在高速無(wú)線通信系統(tǒng)中，信號(hào)必須進(jìn)行上變頻或下變頻后才能進(jìn)行信號(hào)傳播和處理。這種變頻步驟在傳統(tǒng)上稱為混頻，是接收和發(fā)射信號(hào)鏈必不可少的過(guò)程。
2019-09-03
高速通信 混頻器 調(diào)制器
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二極管為何不適合并聯(lián)？串聯(lián)為何還要均壓？
在靜態(tài)時(shí)，由于串聯(lián)各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導(dǎo)致具有最小漏電流的元件承受了最大的電壓，甚至達(dá)到擎住狀態(tài)。
2019-09-03
二極管 并聯(lián) 串聯(lián)
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