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半導(dǎo)體制造晶圓檢測技術(shù)分析
半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用了晶圓自動檢測方法在制造過程中檢測缺陷，以緩解工況偏差和減低總?cè)毕菝芏?。本文介紹晶圓檢測方法進(jìn)展，有效方式識別與良率相關(guān)的缺陷。
2010-06-22
晶圓檢測 缺陷檢測 在線晶圓檢測
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通孔刻蝕工藝的檢測技術(shù)研究
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)推進(jìn)到更加先進(jìn)的深亞微米技術(shù)，半導(dǎo)體金屬布線的層數(shù)越來越多，相應(yīng)的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設(shè)計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發(fā)展到512M時，設(shè)計規(guī)則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的...
2010-06-22
通孔刻蝕工藝 檢測技術(shù) 晶體管
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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機(jī)采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢。系統(tǒng)級封裝(SiP)可以對各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨(dú)特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運(yùn)用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位
來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國光伏產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機(jī)容量或者一半新的裝機(jī)容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。
2010-06-22
太陽能 光伏 薄膜 電池
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Microchip擴(kuò)展mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)能力
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個也是唯一的一項(xiàng)可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。
2010-06-22
Microchip mTouch 電容式觸摸傳感
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Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。
2010-06-22
Vishay 超短傳播延遲 模擬光耦
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LED驅(qū)動電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案
本參考設(shè)計將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動電路設(shè)計功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計過程、元器件選擇依據(jù)、測試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標(biāo)準(zhǔn)的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應(yīng)用。
2010-06-21
功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014
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BGA封裝的焊球評測
BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長了近25%，預(yù)計還將繼續(xù)維持此增長率。同時，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數(shù)量，更細(xì)的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個標(biāo)準(zhǔn)，如何才能做好是很多初學(xué)者的疑問，請看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評測 HJTECH
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