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霍尼韋爾新增兩款新的100°和180°角位移傳感器
霍尼韋爾近日宣布旗下傳感與控制部在其原有的“智能位置傳感器SPS系列”中再推出兩款新構(gòu)形的傳感器——100° 和 180°角位移傳感器。
2011-04-07
智能位置 傳感器 位移
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獨(dú)家：電子分銷商如何抵御日本強(qiáng)震沖擊波
3.11日本大地震爆發(fā)后，整個(gè)電子行業(yè)都在關(guān)注地震將對(duì)未來產(chǎn)業(yè)鏈造成的影響。為了近距離觀察電子元器件供應(yīng)鏈在這一突發(fā)事件中所面臨的挑戰(zhàn)，CNT對(duì)中國(guó)電子分銷商聯(lián)盟（CEDA）的核心會(huì)員單位進(jìn)行了獨(dú)家調(diào)查，深度解讀一線渠道商對(duì)后市的預(yù)測(cè)，以及他們的策略調(diào)整。
2011-04-06
分銷商 日本地震 晶振 IC
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美研究發(fā)現(xiàn)納米線晶體管表現(xiàn)量子限制效應(yīng)
美國(guó)得克薩斯大學(xué)的一個(gè)研究小組用非常細(xì)的納米線制造出一種晶體管，表現(xiàn)出明顯的量子限制效應(yīng)，納米線的直徑越小，電流越強(qiáng)。該技術(shù)有望在生物感測(cè)、集成電路縮微制造方面發(fā)揮重要作用。
2011-04-06
納米晶體管 量子限制效應(yīng) 集成電路
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霍尼韋爾推出推出單面液體介質(zhì)選項(xiàng)適用于潛在醫(yī)療應(yīng)用
霍尼韋爾旗下傳感與控制部近日宣布推出一種“單面液體介質(zhì)選項(xiàng)”，從而延伸了其涵蓋范圍廣的TruStability?壓力傳感器產(chǎn)品線。
2011-04-06
單面液體介質(zhì) 壓力傳感器 保護(hù)傳感器
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第七屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)即將隆重開幕
研討會(huì)將在2011年4月8日在深圳會(huì)展中心五樓菊花廳隆重召開，美國(guó)AEM科技、美國(guó)Bourns、日本村田制作、太陽(yáng)誘電、深圳順絡(luò)、金華電子、東莞貝特電子、蘇州泰思特等國(guó)際和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先保護(hù)電路和電磁兼容技術(shù)公司將再次聚集深圳，圍繞華南電子制造商對(duì)設(shè)計(jì)周期、成本和供貨周期的特殊要求，探討電路保護(hù)與...
2011-04-02
電路保護(hù) 電磁兼容 ESD EMC EMI AEM科技 村田制作 2011szbd
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采用UC3901控制芯片高壓電源模塊設(shè)計(jì)方法
為了提高高壓電源系統(tǒng)的可靠性，減小高壓電路對(duì)低壓電路的影響，高壓與低壓電路應(yīng)當(dāng)相互隔離。在高可靠的應(yīng)用場(chǎng)合(如抗輻照)或隔離要求較高(如2500 V以上)的場(chǎng)合，光耦隔離顯得力不從心，這時(shí)的磁反饋隔離是一種比較合適的控制電路隔離方法……
2011-04-02
電源 磁反饋 整流電路
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電源模塊的電磁干擾設(shè)計(jì)
電源設(shè)計(jì)中即使是普通的直流到直流開關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)都會(huì)出現(xiàn)一系列問題，尤其在高功率電源設(shè)計(jì)中更是如此。除功能性考慮以外，工程師必須保證設(shè)計(jì)的魯棒性，以符合成本目標(biāo)要求以及熱性能和空間限制，當(dāng)然同時(shí)還要保證設(shè)計(jì)的進(jìn)度。另外，出于產(chǎn)品規(guī)范和系統(tǒng)性能的考慮，電源產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)必須...
2011-04-02
電源 電磁干擾 降壓
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SL353系列：霍尼韋爾推出微功耗全極數(shù)字式霍爾效應(yīng)傳感器集成電路
霍尼韋爾旗下傳感與控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全極數(shù)字式霍爾效應(yīng)傳感器集成電路”。SL353系列采用BiCMOS IC設(shè)計(jì)，這是霍尼韋爾的一項(xiàng)新技術(shù)，相對(duì)雙極技術(shù)而言，該技術(shù)在增添更多性能和功能的同時(shí)減小集成電路的尺寸。
2011-04-01
微功耗 全數(shù)字 霍爾效應(yīng)傳感器
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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
2011-04-01
溝道功率 MOSFET 導(dǎo)通電阻
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