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EMC安規(guī)

電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

本文說(shuō)明了在電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到的幾個(gè)問(wèn)題。

2011-12-23

電壓暫降短時(shí)中斷電壓變化抗擾度試驗(yàn)

浪涌抗擾度試驗(yàn)

本文對(duì)浪涌抗擾度試驗(yàn)中新老標(biāo)準(zhǔn)的差異化進(jìn)行解讀，內(nèi)容包括電源線耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)EUT端口的電壓波形和電流波形的要求、用在互連線試驗(yàn)上的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、針對(duì)高速通信線路的耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、新版標(biāo)準(zhǔn)中增加了對(duì)金屬接地參考平板的要求，并對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行中可能遇到安裝浪涌測(cè)試設(shè)備后實(shí)驗(yàn)室的跳閘問(wèn)題...

2011-12-23

浪涌浪涌抗擾度浪涌抗擾度試驗(yàn)

脈沖群抗擾度試驗(yàn)

脈沖群抗擾度試驗(yàn)包括以下幾方面的內(nèi)容：脈沖群發(fā)生器的特性參數(shù)、耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)、實(shí)驗(yàn)室型式試驗(yàn)的配置、試驗(yàn)方法。

2011-12-22

脈沖群脈沖群抗擾度脈沖群抗擾度試驗(yàn)

射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

在新版標(biāo)準(zhǔn)里對(duì)試驗(yàn)的嚴(yán)酷等級(jí)分為一般試驗(yàn)等級(jí)和針對(duì)數(shù)字無(wú)線電話的射頻輻射而設(shè)定的試驗(yàn)等級(jí)。

2011-12-22

射頻輻射射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)

靜電放電抗擾度試驗(yàn)

關(guān)于不接地設(shè)備的試驗(yàn)配置，新版標(biāo)準(zhǔn)與舊版標(biāo)準(zhǔn)的配置是相同的。關(guān)鍵是在單次放電時(shí)（無(wú)論是空氣的，還是接觸的），試品上的電荷應(yīng)當(dāng)在每次施加靜電放電脈沖之前先行釋放（釋放掉在需要施加靜電放電的金屬點(diǎn)或金屬部位上的電荷）。

2011-12-22

靜電放電抗擾度靜電放電靜電

電磁干擾的屏蔽方法

EMC問(wèn)題常常是制約中國(guó)電子產(chǎn)品出口的一個(gè)原因，本文主要論述EMI的來(lái)源及一些非常具體的抑制方法，例如設(shè)計(jì)屏蔽罩。

2011-12-20

電磁干擾 EMI EMC 電磁兼容屏蔽

手機(jī)PCB設(shè)計(jì)時(shí)RF布局技巧

有許多重要的RF設(shè)計(jì)課題值得討論，包括阻抗和阻抗匹配、絕緣層材料和層疊板以及波長(zhǎng)和駐波，這些對(duì)手機(jī)的EMC、EMI影響都很大，下面就對(duì)手機(jī)PCB板的在設(shè)計(jì)RF布局時(shí)必須滿足的條件加以總結(jié)。

2011-12-16

手機(jī) PCB RF 噪聲射頻

我國(guó)被動(dòng)元件情況堪憂

中電元協(xié)信息中心對(duì)電子元件行業(yè)幾十家重點(diǎn)企業(yè)1-8月份的經(jīng)營(yíng)情況進(jìn)行了調(diào)查，結(jié)果表明我國(guó)電子元件行業(yè)的盈利情況依然堪憂。溫學(xué)禮指出，從調(diào)查結(jié)果看，2011年1-8月累計(jì)，電子元件重點(diǎn)骨干企業(yè)銷(xiāo)售收入同比上漲20.17%。據(jù)估算，今年前三季度，全行業(yè)銷(xiāo)售收入總額將超過(guò)1萬(wàn)億元。

2011-12-16

被動(dòng)元件電磁兼容

正確調(diào)節(jié)濾波器各組件以提高降噪效果

要想避免多余噪聲信號(hào)的傳播，對(duì)儀表放大器輸入端低通濾波器中各組件進(jìn)行正確的匹配和調(diào)節(jié)至關(guān)重要。最終，才能讓內(nèi)部電磁干擾/無(wú)線電頻率干擾 (EMI/RFI) 濾波和 CMRR 共同作用，降低其他噪聲，從而達(dá)到可以接受的信噪比 (SNR)。

2011-12-14

濾波器噪音降噪傳感器放大器信號(hào)