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如何加快設(shè)計(jì)和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時(shí)序系統(tǒng)是關(guān)鍵！
各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來(lái)越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計(jì)中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過(guò)使用ASIC、FPGA和微處理器來(lái)解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。
2022-01-20
上電時(shí)序系統(tǒng)
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橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
橋式電路 開(kāi)關(guān)
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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。
2022-01-17
SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)
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聚酰亞胺薄膜應(yīng)用于數(shù)字隔離器
與傳統(tǒng)的光耦合器相比，數(shù)字隔離器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具優(yōu)勢(shì)。數(shù)以十億計(jì)的使用微變壓器的數(shù)字隔離器已廣泛用于許多市場(chǎng)，包括汽車、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療和能源。這些數(shù)字隔離器之所以具有高壓性能，主要原因在于：在堆棧式繞組變壓器的頂部螺旋繞組和底部螺旋...
2022-01-17
聚酰亞胺薄膜 數(shù)字隔離器
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ADI公司陳寶興博士當(dāng)選IEEE會(huì)士
中國(guó)，北京—ADI公司技術(shù)院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號(hào)-功率隔離和集成磁性元件領(lǐng)域的突破性貢獻(xiàn)，當(dāng)選為2022年度IEEE會(huì)士(IEEE Fellow)。IEEE會(huì)士是最高等級(jí)的IEEE會(huì)員，業(yè)界將其視為一項(xiàng)榮譽(yù)稱號(hào)，被認(rèn)為是職業(yè)生涯中的重要成就。每一年的當(dāng)選總?cè)藬?shù)不得超過(guò)總參與投票人數(shù)的千分之一。
2022-01-14
ADI 陳寶興博士 IEEE
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使用集成雙向電流檢測(cè)放大器實(shí)現(xiàn)有效的電流監(jiān)控
越來(lái)越多的應(yīng)用需要快速準(zhǔn)確地進(jìn)行電流監(jiān)控，包括自動(dòng)駕駛汽車、工廠自動(dòng)化和機(jī)器人技術(shù)、通信、服務(wù)器電源管理、D 類音頻放大器和醫(yī)療系統(tǒng)。在許多這樣的應(yīng)用中，都要求進(jìn)行雙向電流檢測(cè)，而且需要以很小的成本有效地實(shí)現(xiàn)這一a目的。
2022-01-14
雙向電流檢測(cè)放大器 電流監(jiān)控
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如何實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)矩伺服電機(jī)的應(yīng)用設(shè)計(jì)
有時(shí)用市場(chǎng)上現(xiàn)成的高轉(zhuǎn)矩伺服電機(jī)比建造更方便。設(shè)計(jì)這種伺服電機(jī)用于無(wú)線電控制應(yīng)用，如為了得到中心位置希望脈沖為1.5ms寬。除去已有電路并用一個(gè)簡(jiǎn)單的線性電壓控制替代是可能的；然而，選擇“不破壞它”而用一個(gè)外部脈沖產(chǎn)生器替代。此結(jié)果是比預(yù)期的更錯(cuò)綜復(fù)雜。
2022-01-10
高轉(zhuǎn)矩伺服電機(jī)
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高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖
隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
高深寬比刻蝕 納米級(jí)圖形 存儲(chǔ)器
- DigiKey拓展創(chuàng)新版圖，新產(chǎn)品線引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)潮
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