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電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
在自動(dòng)化控制領(lǐng)域，模擬信號(hào)如同神經(jīng)系統(tǒng)的神經(jīng)遞質(zhì)，持續(xù)傳遞著溫度、壓力、流量等物理參數(shù)。但當(dāng)工程師在PLC面板前調(diào)試時(shí)，常面臨靈魂拷問：為何實(shí)驗(yàn)室里得心應(yīng)手的0-5V電壓信號(hào)，到了嘈雜的工廠環(huán)境就變得脆弱不堪？答案藏在電流與電壓兩種信號(hào)的底層邏輯差異中。
2025-05-14
電磁干擾 電流 電壓
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隔離SEPIC轉(zhuǎn)換器如何破解反激式拓?fù)涞腅MI與調(diào)節(jié)困局？
?在低功耗隔離電源設(shè)計(jì)中，反激式拓?fù)潆m因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單被廣泛應(yīng)用，但其漏感引發(fā)的FET振鈴、EMI干擾及多路輸出調(diào)節(jié)難題始終困擾工程師。本文通過實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證，提出隔離SEPIC（單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器）作為更優(yōu)解，其獨(dú)特的能量傳輸機(jī)制可顯著改善系統(tǒng)性能。
2025-05-14
隔離SEPIC轉(zhuǎn)換器 EMI 反激式拓?fù)?/p>
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熱敏電阻技術(shù)全景解析：原理、應(yīng)用與供應(yīng)鏈戰(zhàn)略選擇
本文基于Yole Development 2025年傳感器市場(chǎng)報(bào)告及中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，深度剖析熱敏電阻技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)格局，為工程師提供選型決策支持。熱敏電阻（Thermistor）是電阻值隨溫度顯著變化的半導(dǎo)體器件。
2025-05-12
熱敏電阻
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EMC與成本雙優(yōu)解 車載燈光域控制器集成方案落地
在現(xiàn)代汽車中，眾多電子控制單元（ECU）負(fù)責(zé)控制各種功能，如發(fā)動(dòng)機(jī)管理、傳動(dòng)控制、制動(dòng)系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)。每個(gè)ECU通常都配備有自己的MCU，這增加了汽車電氣架構(gòu)的總體復(fù)雜性和成本。車燈的情況也是如此，前后左右的車燈通常都有各自獨(dú)立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個(gè)像素，或者燈是由多...
2025-05-12
車燈控制器 MCU
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壓敏電阻技術(shù)全解析與選型的專業(yè)指南
壓敏電阻（Varistor，Voltage Dependent Resistor）是一種電壓敏感型非線性電阻器，核心材料為氧化鋅（ZnO）陶瓷摻雜Bi?O?、Co?O?等金屬氧化物。其電阻值隨外加電壓呈指數(shù)級(jí)變化，具備雙向?qū)ΨQ的伏安特性，主要功能為過電壓保護(hù)。
2025-05-11
壓敏電阻
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)
氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對(duì)背（B...
2025-05-11
氮化鎵 單片雙向開關(guān) 功率器件
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BMS開路檢測(cè)新突破：算法如何攻克電芯連接故障識(shí)別難題？
噪聲敏感器件的功耗不斷提高。醫(yī)療超聲成像系統(tǒng)、5G收發(fā)器和自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)等應(yīng)用需要在面積較小的PCB上實(shí)現(xiàn)高輸出電流(>5 A)、低噪聲水平和高帶寬。由于對(duì)輸出電流的需求較高，以前使用的傳統(tǒng)雙級(jí)（降壓+低壓差(LDO)穩(wěn)壓器）解決方案需要的PCB面積較大，導(dǎo)致功耗較高，因此不太受歡迎。
2025-05-11
BMS電路 電芯連接
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雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性
在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對(duì)表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本...
2025-05-10
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng) 動(dòng)態(tài)特征
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驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（七）——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A，可驅(qū)動(dòng)中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標(biāo)10kW+應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)。本文就來(lái)...
2025-05-07
驅(qū)動(dòng)電路 自舉電源 圖騰柱PFC應(yīng)用
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