123,123

電路保護(hù)

靜電放電干擾及其抑制

在電子控制設(shè)備外殼上放電是經(jīng)常見到的放電現(xiàn)象，放電電流流過金屬外殼，產(chǎn)生電場和磁場，通過分布阻抗鍋臺(tái)到殼內(nèi)的電源線、信號線等內(nèi)部走線，引起誤功作。電子控制設(shè)備的信號線或地線上也可直接放電，如鍵盤或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴(yán)重。本文講述靜電放電干擾及其抑制

2010-03-05

靜電放電干擾 ESD

碳零排放——檳城電子植樹總動(dòng)員

參加此次植樹活動(dòng)的除了檳城電子的全體員工外，還邀請了檳城的代理商和供應(yīng)商參加?？偣?00多人，共分成了4個(gè)植樹小分隊(duì)。在蔡總的帶領(lǐng)下，我們拿著植樹的工具，拉著小樹苗，迎著春天的暖風(fēng)，到了自己的領(lǐng)地。大家的勢頭都很足，精神抖擻，各個(gè)都掄起鐵鍬鋤頭，為小樹苗挖樹坑。

2010-03-05

低碳檳城電子植樹綠化減碳

減小ESD引起的停機(jī)時(shí)間

靜電是一種看不見的破壞力，會(huì)對電子元器件產(chǎn)生影響。ESD未必總造成元器件的完全失效；它會(huì)造成一般測試無法檢測到的元器件潛在缺陷。這種“脆弱”的元器件在系統(tǒng)工作期間，在惡劣環(huán)境條件下，更可能在現(xiàn)場發(fā)生失效。在制造、儲(chǔ)存、運(yùn)輸、包裝、組裝、測試階段采取一些簡單的預(yù)防措施，再適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)電...

2010-03-04

ESD 瞬變抑制靜電

數(shù)字隔離元件應(yīng)用介紹

光耦合器和數(shù)字隔離元件都能用于隔離和提供一條跨越隔離層的通信鏈路。這兩種技術(shù)都有其各自優(yōu)點(diǎn)。本文主要介紹數(shù)字隔離元件應(yīng)用介紹

2010-03-03

數(shù)字隔離元件光耦合器光發(fā)射器 CMOS

利用過壓保護(hù)IC實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)和切換功能

為了盡可能延長電池的使用壽命，大多數(shù)便攜式設(shè)備采用內(nèi)、外兩種供電模式：沒有外部電源時(shí)采用設(shè)備自帶的電池供電；當(dāng)有外部電源接入時(shí)立即切換到外部電源。本文主要講述利用過壓保護(hù)IC實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)和切換功能。

2010-03-02

保護(hù)IC 電池保護(hù) MOSFET

Diodes推出能夠容忍電話線瞬變的高壓二極管陣列

Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負(fù)極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。

2010-03-01

Diode 二極管陣列 MMBD5004BRM

接地裝置的自我保護(hù)

接地是在長期實(shí)踐中總結(jié)出來的對電氣設(shè)備安全使用的必要保護(hù)措施。但因接地措施的缺陷，如接地不規(guī)范、接地不良、接地失效等，以致發(fā)生重大事故的，仍屢見不鮮。其中大多數(shù)情況，是接地體、接地線等裝置本身過度腐蝕所致。接地裝置如何自我保護(hù)？

2010-02-23

接地裝置碳鋼有色金屬材料

CCTV系統(tǒng)防雷

雷擊是年復(fù)一年的嚴(yán)重自然災(zāi)害之一,隨著我國微電子設(shè)備內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度集成化(VLSI芯片),從而造成設(shè)備耐過電壓、耐過電流的水平下降,對雷電(包括感應(yīng)雷及操作過電壓)浪涌的承受能力降低。眾所周知,雷電具有極大的破壞性,其電壓高達(dá)數(shù)百萬伏,瞬間電流可高達(dá)數(shù)十萬安培。本文介紹CCTV系統(tǒng)防雷

2010-02-22

CCTV 防雷 VLSI

"如何正確使用保險(xiǎn)絲"在線研討會(huì)問答精粹

慢熔斷保險(xiǎn)絲與快熔斷有什么不同性能和應(yīng)用；相同特性和額定電流的保險(xiǎn)絲能直接替換嗎；保險(xiǎn)絲分?jǐn)嗄芰υ趯?shí)際應(yīng)用中的意義；保險(xiǎn)絲性能的影響因素；一次性保險(xiǎn)絲和可恢復(fù)保險(xiǎn)絲的異同；保險(xiǎn)電阻能起到保險(xiǎn)絲的作用？這些都是工程師在保險(xiǎn)絲選型和應(yīng)用中關(guān)心的問題。AEM帶來《如何正確使用保險(xiǎn)絲》的...

2010-02-22

熔斷保險(xiǎn)絲 AEM

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