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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的關鍵挑戰(zhàn)，是設計一個滿足每位設計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關鍵要素。電源系統(tǒng)設計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設計，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強調在為當今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數的非線性與信號電平、熱效應和環(huán)境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發(fā)者大會
2022年9月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯(lián)設備開發(fā)為主題的免費網絡活動，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費注冊，請訪問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
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深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關特性的關鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關性能。
2022-09-13
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瑞能半導體以效率優(yōu)勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度
2022年9月6日，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席了在上海盛大舉辦的第九屆中國國際半導體高管峰會（以下簡稱：CISES）。在CISES上，Markus Mosen先生發(fā)表了《新一代碳化硅MOSFET，正在打造更加綠色的未來》的主題演講，聚焦在“雙碳”背景的驅動下，碳化硅產業(yè)充滿的機遇和前景，重點結合了最新推出的1700V SiC MOSFET產品的效率優(yōu)勢，詳解了瑞能半導體在應用領域的建樹。
2022-09-08
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通過仿真分析ZVS工作原理
零電壓開關（Zero Voltage Switch）振蕩電路是功率開關管在導通和關斷（模式切換時）兩端電壓為0（實際上應該是非常接近于0）的電路，這種特性使得電路功率損耗變小，所以被廣泛 應用到大功率加熱、高壓電路中。比如在一些LLC 電源， 電磁爐驅動電路中。本文基于 LTspice 仿真，分析了 ZVS 振蕩器的工作原理以及相關的參數設計。
2022-09-08
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帶有集成式背磁體、先進全同步數字IC和EMC保護的真正通電狀態(tài)凸輪軸傳感器
之前我們介紹過Allegro 針對完全和輕度混合動力發(fā)動機應用的巨磁阻（GMR）曲軸傳感器ATS16951，和這款曲軸傳感器完美配套的凸輪軸傳感器是Allegro 帶有集成式背磁體（back-biasing magnet）、先進全同步數字IC和EMC保護的ATS16351。這兩款產品能夠絕佳配合，幫助設計人員實現(xiàn)優(yōu)化的發(fā)動機設計，減少供應商數量，降低系統(tǒng)復雜性。
2022-09-07
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帶過流保護的低側柵極驅動器PCB布局技巧
英飛凌的1ED44173/5/6是新的低側柵極驅動器IC，集成了過流保護（OCP）、故障狀態(tài)輸出和啟用功能。這種高集成度驅動器對于采用升壓拓撲結構并接參考地的PFC（數字控制功率因數校正）應用非常友好。
2022-09-05
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200kW逆變器參考設計
基于派恩杰1200V/400A SiC 模塊PAA12400BM3開發(fā)的800V 電機驅動平臺。采用如圖1所示三相橋式拓撲結構，母線額定電壓為650V，工作母線電壓范圍為400-800V，最大輸入直流電流為200A，最大輸出連續(xù)功率為120kW，最大持續(xù)相電流為160A, 短時峰值功率為200kW/30s，短時峰值電流300A，使用SiC模塊的三相逆變器在效率上有了極大的提升，并且體積也相對減小，派恩杰62mm封裝SiC模塊最大工作結溫可達175℃，采用銅基板進行散熱。
2022-09-05
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瑞薩將收購Steradian以擴大其在雷達市場的業(yè)務范圍
2022 年 9 月 1 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，已達成最終協(xié)議，以全現(xiàn)金交易方式收購位于印度班加羅爾的無晶圓半導體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”），該公司提供4D成像雷達解決方案。根據慣例成交條件，此次收購預計將于2022年年底完成。收購Steradian的雷達技術將使瑞薩電子擴大其在雷達市場的影響力，并提升其汽車和工業(yè)傳感解決方案的實力。
2022-09-02
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愛芯元智亮相2022世界人工智能大會，核心技術AI-ISP“愛芯智眸”正式發(fā)布
中國 上海 2022年9月1日——人工智能視覺感知芯片研發(fā)及基礎算力平臺公司愛芯元智宣布，受邀出席為期3天的2022世界人工智能大會（WAIC）。大會以“智聯(lián)世界 元生無界”為主題，集中展示全球人工智能發(fā)展成果，把握人工智能與元宇宙相融互促的發(fā)展趨勢，描繪AI時代的美好圖景。作為受邀參展公司之一，愛芯元智攜全系列端側邊緣側AI芯片產品及智能消費、智慧城市、智慧交通等多領域應用解決方案亮相，展現(xiàn)“芯向未來 視界無界”的AI“芯”生態(tài)，并正式公布了自研核心技術AI-ISP“愛芯智眸?”。
2022-09-02
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愛芯元智CEO仇肖莘出席WAIC2022芯片主題論壇，探討AI芯片的“差異化價值”
9月2日，2022世界人工智能大會正式開幕，全球人工智能發(fā)展成果和“AI+元宇宙”最新實踐集中亮相，深度演繹“智聯(lián)世界 元生無界”這一主題。作為大會重磅級論壇之一，由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會承辦的芯片主題論壇1日下午在張江科學館舉行，人工智能芯片領域院士專家、代表性國內外知名企業(yè)家和領軍人物齊聚，共話“AI未來，感知芯世界”。圓桌會議環(huán)節(jié)，愛芯元智創(chuàng)始人兼董事長、CEO仇肖莘博士等AI芯片領域代表人物受邀出席，圍繞元宇宙背景下的芯片市場端拓展、場景應用、生態(tài)環(huán)境建設等話題進行分享交流，探討元宇宙時代芯片如何破局。
2022-09-02
- 突破效率極限：降壓-升壓穩(wěn)壓器直通模式技術解析
- 高效與靜音兼得：新一代開關電源如何替代LDO？
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