-
TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V紅外接收器升級(jí)產(chǎn)品
Vishay目前宣布，采用新一代集成電路升級(jí)5V紅外接收器的性能，可將器件敏感度提高15%，并增強(qiáng)脈寬精度。
2008-10-01
-
MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
-
SiE726DF：Vishay首款雙面冷卻30V功率MOSFET和肖特基二極管
Vishay目前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用具頂?shù)咨嵬返姆庋b的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管，該可在具有強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻功能的系統(tǒng)中高性能運(yùn)作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運(yùn)用的效率。
2008-09-24
-
VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。
2008-09-19
-
VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級(jí)別絕對(duì) TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
-
VBUS054CV-HS3：Vishay新型4線ESD保護(hù)陣列
Vishay推出最新小型 4 線 ESD 保護(hù)陣列，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或四個(gè)其它高頻信號(hào)線，以免它們受到瞬態(tài)電壓信號(hào)的損壞。
2008-09-05
-
VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅
Vishay推出一款可輸出 1A 電流來驅(qū)動(dòng)電阻及電感負(fù)載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。由于消除了對(duì)外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設(shè)計(jì)成本并節(jié)省板面空間。
2008-08-27
-
VLMK82/VLMY82：Vishay高強(qiáng)度功率SMD LED
日前，Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且具有 400mA 驅(qū)動(dòng)電流的首個(gè)高強(qiáng)度淡黃色及黃色功率 SMD LED 系列。強(qiáng)大可靠且具有高光效率的 VLMK82.. 和VLMY82..器件具有 20K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率，主要面向熱敏應(yīng)用。
2008-08-27
-
SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封裝功率MOSFET系列
Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。
2008-08-20
-
298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴(kuò)展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴(kuò)展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
-
VCS1625Z ：Vishay改進(jìn)的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進(jìn)的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點(diǎn)）時(shí)具有 ±2 ppm/°C 的軍用級(jí)典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時(shí)的 ±0.005% 負(fù)載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
-
VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經(jīng)過 1000 小時(shí)工作負(fù)荷后負(fù)載壽命穩(wěn)定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進(jìn)，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時(shí)負(fù)載壽命穩(wěn)定性為 ±0.005%。
2008-08-13
- Supermicro DCBBS：重新定義數(shù)據(jù)中心，一站式實(shí)現(xiàn)速度、性能與能效的飛躍
- 速度覺醒！Crucial 英睿達(dá) DDR5 Pro OC 游戲內(nèi)存發(fā)布，幀率提升高達(dá)25%
- 單芯片決勝智能互聯(lián)：Microchip新品MCU發(fā)布
- 微控制器也瘋狂？瑞薩RA8系列以MPU級(jí)性能顛覆邊緣計(jì)算
- 專治各種“測(cè)不穩(wěn)”！imc xTP-NT-POWER-M模塊讓旋轉(zhuǎn)部件測(cè)試更精準(zhǔn)
- 榮耀Magic 8系列亮出“護(hù)眼王牌”：首發(fā)艾邁斯歐司朗新技術(shù)，打造極致視覺安全體驗(yàn)
- 意法半導(dǎo)體公布臨時(shí)股東大會(huì)擬議決議
- 2026慕尼黑上海電子展：匯聚集成電路創(chuàng)新，共謀產(chǎn)業(yè)未來
- 國(guó)產(chǎn)超強(qiáng)手機(jī)內(nèi)存長(zhǎng)鑫LPDDR5X來了
- 芯片制造重大進(jìn)展！北大新發(fā)現(xiàn)為光刻精度與良率開辟新路徑
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
