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貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應(yīng)商持續(xù)為客戶(hù)擴(kuò)大產(chǎn)品代理陣容
專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過(guò)60家供應(yīng)商,產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴(kuò)大,為廣大電子設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶(hù)提供各類(lèi)先進(jìn)產(chǎn)品,讓設(shè)計(jì)人員輕松獲得各項(xiàng)新技術(shù),協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。
2025-02-08
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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則 (U.S. GAAP) 編制的截至2024年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。此外,本新聞稿還包含非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù) (詳情參閱附錄)。
2025-02-07
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MD&M West展會(huì):Micro Crystal攜創(chuàng)新定時(shí)元件,共繪醫(yī)療科技新藍(lán)圖
在醫(yī)療科技日新月異的今天,每一次創(chuàng)新都可能引領(lǐng)行業(yè)的未來(lái)。2025 年 2 月 4 日至 6 日,美國(guó)加州阿納海姆將迎來(lái)第 40 屆 MD&M West 醫(yī)療展會(huì),這場(chǎng)匯聚全球醫(yī)療技術(shù)精英的盛會(huì),正是 Micro Crystal 瑞士微晶展示其技術(shù)實(shí)力與行業(yè)承諾的舞臺(tái)。
2025-02-06
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解鎖AI設(shè)計(jì)潛能,ASO.ai如何革新模擬IC設(shè)計(jì)
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,半導(dǎo)體行業(yè)作為眾多前沿技術(shù)的基石,正面臨著前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著電子系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜,芯片電路設(shè)計(jì)也變得更為復(fù)雜,這導(dǎo)致了更長(zhǎng)的設(shè)計(jì)周期、更高的開(kāi)發(fā)成本以及更大的錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)。
2025-02-01
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貿(mào)澤電子新品推薦:2024年第四季度推出超過(guò)10,000個(gè)新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),首要任務(wù)是提供來(lái)自1,200多家知名廠(chǎng)商的新產(chǎn)品與技術(shù),幫助客戶(hù)設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品,并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶(hù)提供全面認(rèn)證的原廠(chǎng)產(chǎn)品,并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
SiC器件的快速開(kāi)關(guān)特性包括高頻率,要求測(cè)量信號(hào)的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW),這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中,寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作,基于實(shí)際的SiC被測(cè)器件 (DUT),描述了實(shí)用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的影響
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一,在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。開(kāi)關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件,其性能與效率在很大程度上依賴(lài)于MOS管的選擇與應(yīng)用。本文將深入探討MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的具體作用,并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對(duì)電源整體性能的影響。
2025-01-25
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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意法半導(dǎo)體榮膺 2025 年全球杰出雇主認(rèn)證
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評(píng)選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14講:工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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基于 SiC 的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證套件
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器涵蓋廣泛的應(yīng)用,從低壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)器(例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào))以及伺服驅(qū)動(dòng)器。據(jù)估計(jì),這些通常由交流電源驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)占工業(yè)用電量的 70-80%。因此,人們有強(qiáng)烈的動(dòng)機(jī)來(lái)提高這些驅(qū)動(dòng)器的效率。即使該參數(shù)的微小改進(jìn)也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。國(guó)際電化學(xué)委員會(huì) (IEC) 為電機(jī)和集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器制定了各種效率標(biāo)準(zhǔn)。例如,現(xiàn)在主要國(guó)家都要求采用IE3標(biāo)準(zhǔn)。在歐盟,額定輸出功率在 75 kW 至 200 kW 之間的電機(jī)需要符合 IE4 標(biāo)準(zhǔn)。
2025-01-21
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貿(mào)澤與TE Connectivity 和Microchip Technology聯(lián)手推出聚焦汽車(chē)Zonal架構(gòu)的電子書(shū)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球連接器和傳感器知名制造商TE Connectivity以及Microchip Technology合作推出全新電子書(shū),深入探討Zonal架構(gòu)如何幫助設(shè)計(jì)師跟上汽車(chē)系統(tǒng)日益復(fù)雜化的步伐,以及它如何從根本上改變車(chē)輛構(gòu)造。
2025-01-17
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