集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知

近年來，集成電路行業(yè)處在風(fēng)口浪尖，備受關(guān)注。在剛剛結(jié)束的2022 ICS集成電路峰會(huì)上，魏少軍教授、李珂先生等行業(yè)專家給出了他們的觀點(diǎn)，用事實(shí)和數(shù)據(jù)說明，在成熟的集成電路工藝和EDA工具上實(shí)現(xiàn)芯片產(chǎn)品創(chuàng)新，并不需要最先進(jìn)的工藝，追求能量效率這個(gè)指標(biāo)，就能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新特色。說到美國單向脫鉤...

2023-01-06

數(shù)字控制回路的模擬組件（模擬控制器轉(zhuǎn)向易于編程的數(shù)字控制環(huán)路）

移動(dòng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 電氣和電子系統(tǒng)的加速部署，加上上市時(shí)間窗口的縮短，導(dǎo)致需要對支持它們的 IC 進(jìn)行更快速、更低成本的測試。

2023-01-06

數(shù)字控制回路  模擬組件

一文帶你了解傳輸線理論

在現(xiàn)代通信技術(shù)中，每當(dāng)在傳輸高速信號的時(shí)候，特別是射頻微波信號傳輸過程中，總是不可避免的遇到因?yàn)榛夭〒p耗和輻射損耗所造成的信號衰減。如何改善這一問題？技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu對傳輸線理論進(jìn)行了科普。

2023-01-06

傳輸線理論  信號

瑞薩電子推出首款支持新Matter協(xié)議的Wi-Fi開發(fā)套件

2023 年 1 月 5 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協(xié)議的開發(fā)套件，同時(shí)宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產(chǎn)品上，提供對Mat...

2023-01-05

瑞薩電子  Matter協(xié)議  Wi-Fi套件

如何優(yōu)化開關(guān)穩(wěn)壓器中控制算法的使用

在本應(yīng)用筆記中，我們將研究開關(guān)穩(wěn)壓器的三種基本控制算法。我們將討論每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，并就正確的環(huán)路補(bǔ)償策略提供指導(dǎo)，以獲得快速穩(wěn)定的響應(yīng)。

2023-01-05

開關(guān)穩(wěn)壓器  算法

穩(wěn)壓器電路仿真電路設(shè)計(jì)怎么發(fā)現(xiàn)問題？

每個(gè)新的電子設(shè)備都需要某種程度的功率調(diào)節(jié)。無論新產(chǎn)品是依靠電池，外部電源還是交流電源運(yùn)行，都需要為新系統(tǒng)設(shè)計(jì)一種調(diào)節(jié)策略。這可能涉及多個(gè)功率調(diào)節(jié)電路，通常帶有反饋以提供高效功率轉(zhuǎn)換。您可能需要各種支持組件和功能，以幫助您調(diào)節(jié)功率輸出，尤其是在系統(tǒng)以高功率運(yùn)行時(shí)。

2023-01-04

穩(wěn)壓器電路  仿真電路設(shè)計(jì)

基于FPGA的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)或數(shù)模轉(zhuǎn)換器

選擇時(shí)首先要確定轉(zhuǎn)換信號所需的采樣頻率。這個(gè)參數(shù)不僅將影響轉(zhuǎn)換器的選擇，同時(shí)也會(huì)影響對FPGA的選擇，這樣才能確保器件能夠滿足所需的處理速度及邏輯封裝要求。轉(zhuǎn)換器的采樣頻率至少為信號采樣頻率的2倍。因此，如果信號的采樣頻率為50MHz，則轉(zhuǎn)換器采樣頻率至少應(yīng)為100MHz。

2023-01-04

FPGA  模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)  數(shù)模轉(zhuǎn)換器

六種常見的DC－DC升壓電路

電路中變壓器T可用晶體管收音機(jī)用的502型音頻輸出變壓器，次級作為升壓變壓器的初級，初級中間的抽頭不用，兩端抽頭作為升壓變壓器的次級。如果找不到合適的變壓器，也可以用收音機(jī)輸人輸出變壓器的硅鋼片自制，初級用直徑為0.25mm的高強(qiáng)度漆包線繞110匝，次級用直徑0.21mm的高強(qiáng)度漆包線繞520匝。...

2023-01-04

DC－DC升壓電路

Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。

2023-01-04

Si  SiC MOSFET