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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對(duì)便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對(duì)便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級(jí)封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
Si8441DB Si8451DB 功率MOSFET
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MAX4888A/MAX4889A：Maxim PCIe高速無(wú)源開(kāi)關(guān)
Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān)，能夠切換速率在5.0Gbps的數(shù)據(jù)。這兩款無(wú)源開(kāi)關(guān)支持PCIe 2.0數(shù)據(jù)切換，具有較低的功耗，并且提供按信號(hào)流向的引腳配置以優(yōu)化PCB布板。
2008-04-07
MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān) DisplayPort
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MAX4888A/MAX4889A：Maxim PCIe高速無(wú)源開(kāi)關(guān)
Maxim推出MAX4888A/MAX4889A高速PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān)，能夠切換速率在5.0Gbps的數(shù)據(jù)。這兩款無(wú)源開(kāi)關(guān)支持PCIe 2.0數(shù)據(jù)切換，具有較低的功耗，并且提供按信號(hào)流向的引腳配置以優(yōu)化PCB布板。
2008-04-07
MAX4888A MAX4889A PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān) DisplayPort
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對(duì)針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對(duì)針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對(duì)針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無(wú)鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評(píng)為年度最佳產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
2008-03-31
HE3 濕鉭高能電容器
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評(píng)為年度最佳產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
2008-03-31
HE3 濕鉭高能電容器
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