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B82466G0*/B82467G0*/B82469G1*：EPCOS新電感器系列
愛(ài)普科斯(EPCOS)開(kāi)發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。
2008-06-01
B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器
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宇陽(yáng)控股0201超微型MLCC通過(guò)鑒定
宇陽(yáng)控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過(guò)國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開(kāi)發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽(yáng) 0201 MLCC
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宇陽(yáng)控股0201超微型MLCC通過(guò)鑒定
宇陽(yáng)控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過(guò)國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開(kāi)發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽(yáng) 0201 MLCC
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宇陽(yáng)控股0201超微型MLCC通過(guò)鑒定
宇陽(yáng)控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過(guò)國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開(kāi)發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽(yáng) 0201 MLCC
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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