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安防監(jiān)控

上海光宇睿芯：打造本土分立器件巨頭

上海光宇睿芯微電子有限公司（Sino-IC）日前在深圳舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，除了發(fā)布了一系列新的產(chǎn)品線，還介紹了公司產(chǎn)品市場(chǎng)策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露：“在2009年，我們還是一家以過壓保護(hù)器件為主的廠商，從今年起我們將產(chǎn)品線擴(kuò)展到各種分立器件，我們的最終目標(biāo)是打造成像On Semi、Visha...

2010-03-17

Sino-IC LED 傳感器

電子信息產(chǎn)業(yè)：加快調(diào)整搶占高端

電子信息產(chǎn)業(yè)是受國(guó)際金融危機(jī)影響較大的行業(yè)，通過貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃，正逐步復(fù)蘇，走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出，大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè)，加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用，這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。

2010-03-17

電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)

光伏產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)赚F(xiàn)分化組件價(jià)跌硅片價(jià)漲

隨著去年四季度以來全球光伏應(yīng)用市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)也開始欣欣向榮。但由于過去幾年產(chǎn)能擴(kuò)張嚴(yán)重，光伏下游組件價(jià)格連續(xù)下挫。相比之下，由于產(chǎn)能不足，中游的硅片價(jià)格近期卻意外上漲。

2010-03-17

光伏組件硅片

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2010-03-16

RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管

恩智浦交付第10億枚ICODE芯片：標(biāo)簽市場(chǎng)的選擇

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors ）日前宣布交付第 10億枚ICODE 芯片—— ICODE 系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)里程碑式突破

2010-03-16

恩智浦 ICODE芯片標(biāo)簽

ABB為中國(guó)太陽(yáng)能發(fā)電提供技術(shù)支持

近日，全球領(lǐng)先的電力和自動(dòng)化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國(guó)太陽(yáng)能開發(fā)利用，為提升國(guó)家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。

2010-03-15

ABB 太陽(yáng)能發(fā)電新能源可再生能源

HAL1821/1822/1823 ：Micronas推出汽車應(yīng)用霍爾效應(yīng)傳感器

Micronas推出汽車應(yīng)用的霍爾效應(yīng)傳感器HAL 1821/1822/1823，HAL 1821/1822/1823通用磁場(chǎng)傳感器提供一個(gè)比例、線性模擬輸出，用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的磁場(chǎng)測(cè)量、電流測(cè)量和任何機(jī)械運(yùn)動(dòng)的檢測(cè)。

2010-03-15

HAL1821/1822/1823 Micronas 汽車電子傳感器

安森美半導(dǎo)體可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)與彎道輔助照明系統(tǒng)受到關(guān)注

近日，安森美半導(dǎo)體展出了針對(duì)支持TRIAC調(diào)光的LED照明驅(qū)動(dòng)器NCL30000、汽車尾燈控制IC NCV7689以及彎道輔助照明系統(tǒng)。NCL30000是安森美半導(dǎo)體新推出的支持TRIAC調(diào)光的功率因數(shù)校正LED驅(qū)動(dòng)器，適合用于住宅及商業(yè)照明應(yīng)用。

2010-03-15

可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng) 彎道輔助照明汽車后組合燈控制

更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命

GaN技術(shù)平臺(tái)開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。

2010-03-15

輕便低溫 IR GaN 功率器件革命