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電路設(shè)計中三極管和mos管的區(qū)別
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。
2012-02-14
電路設(shè)計 三極管 mos管 雙極晶體管
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基于加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計
隨著現(xiàn)代軍事通信系統(tǒng)中跳頻、擴頻等技術(shù)的應(yīng)用，天線作為通信設(shè)備的前端部件，對通信質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。然而傳統(tǒng)的天線形式和功能在一定程度上不能跟上通信系統(tǒng)小型化的發(fā)展需求，尋求天線的全向性、小型化、寬帶化、共用化成為天線研究中一個重要課題。
2012-02-14
加載技術(shù) 天線 帶寬 RLC
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PCB焊接工藝使用氮氣的理由
焊接的一個行進中的問題是在回流焊接爐中使用氮氣的好處。在這個主題上我遇到的問題至少每周一次。這個問題不是什么新問題。十年前，所訂購的回流焊接爐至少一半規(guī)定有氮氣容器。最近與回流焊接爐制造商的交談告訴我，這個比例保持還是一樣的，盡管使用氮氣的關(guān)鍵理由現(xiàn)在再不是什么站得住腳的理由...
2012-02-14
PCB 焊接工藝 氮氣 氟里昂
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第五講：專家解答電路保護設(shè)計的常見問題
本文整理工程師在電路保護設(shè)計中經(jīng)常遇到的一些問題，精選出關(guān)于保險絲、防雷器件和ESD保護器件的選型及應(yīng)用的問題，由資深電路保護設(shè)計專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護器件，設(shè)計高可靠性的電路保護解決方案。
2012-02-13
電路保護 保險絲 熔斷器 防雷 ESD
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機效率，同時獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應(yīng)用
晶閘管電機軟起動器的出現(xiàn)，彌補了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足，很好地降低了電機的起動電流，降低了配電容量，延長了電機及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整，易于維護。本文介紹晶閘管電機軟起動器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護設(shè)計。
2012-02-13
晶閘管 電機 軟起動 過壓 過流
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集成電路對EMI控制的影響
在考慮EMI控制時，設(shè)計工程師及PCB板級設(shè)計工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI、刀1)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。
2012-02-13
集成電路 IC EMI 電磁干擾
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CHiL：IR推出多功能系列數(shù)字脈沖寬度調(diào)制控制器
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)，推出多功能系列CHiL數(shù)字脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 控制器，大幅減少占位面積，并能提升多種中高端且性能極高的服務(wù)器、臺式電腦及運算應(yīng)用的效率。IR這六款新器件符合Intel VR12和VR12.5，以及AMD SVI1和SVI2的標(biāo)準(zhǔn)，...
2012-02-13
CHiL IR 控制器
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鉛蓄電池再遭嚴(yán)打 鋰電池受益直接出位
去年由于血鉛等各種污染問題嚴(yán)重，整個鉛蓄電池行業(yè)迎來一場較大的整頓風(fēng)暴，整個行業(yè)中眾多企業(yè)在行業(yè)整頓中紛紛落馬，市場對于鋰電池的關(guān)注度瞬間上升，業(yè)內(nèi)極為看好鋰電池等新能源電池的發(fā)展前景，但是由于種種優(yōu)勢因素的存在，行業(yè)集中度進一步提供之后，為僅存的大型鉛蓄電池提供了更佳的競爭...
2012-02-13
鉛蓄電池 鋰電池 鋰離子電池 環(huán)保
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