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電子負(fù)載應(yīng)用于檢測(cè)設(shè)備測(cè)試中
隨著電子市場(chǎng)的發(fā)展，其前景是毋庸置疑的，而與之相輔相生的電子測(cè)量?jī)x表儀器設(shè)備也得以廣泛應(yīng)用。就在LED驅(qū)動(dòng)、電源模塊測(cè)試、充電器生產(chǎn)及UPS生產(chǎn)等領(lǐng)域廣泛使用的直流電子負(fù)載而言，其已經(jīng)成為了這些領(lǐng)域必不可少的測(cè)試設(shè)備。
2012-10-31
電子負(fù)載 檢測(cè)設(shè)備 測(cè)試
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如何測(cè)試小型存儲(chǔ)器陣列
隨著半導(dǎo)體工藝不斷地進(jìn)步，那些原本存在芯片中的大型存儲(chǔ)器會(huì)轉(zhuǎn)變成數(shù)十或數(shù)百個(gè)小型的存儲(chǔ)器陣列，并且散布在芯片中各個(gè)角落。針對(duì)這種類型的小型陣列，如果想要偵測(cè)出與速度相關(guān)的瑕疵以及固定邏輯(stuck-at)故障，其實(shí)并不是一件容易的事。
2012-10-31
測(cè)試 小型 存儲(chǔ)器陣列
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相互調(diào)變失真的測(cè)量方法
在發(fā)射(Tx)路徑上的相互調(diào)變失真是附加在高功率之中，它的特性很重要。由于在發(fā)射路徑上一般都沒有主動(dòng)組件存在，因此它的相互調(diào)變失真特性被稱為“被動(dòng)的相互調(diào)變失真(passive IMD;PIMD)”。當(dāng)設(shè)計(jì)一個(gè)無線通信電路時(shí)，PIMD在每一個(gè)功能單元中的變化不大，所以，在研發(fā)階段就會(huì)先測(cè)量PIMD。
2012-10-31
相互調(diào)變失真 測(cè)量方法
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是什么影響電阻和電阻率測(cè)試
影響電阻或電阻率測(cè)試的主要因素有：環(huán)境溫濕度、測(cè)試電壓、測(cè)試時(shí)間、測(cè)試設(shè)備的泄漏以及外界干擾等。本文重點(diǎn)談?wù)勆鲜鑫宕笠蛩亍?/p>
2012-10-31
影響 電阻 電阻率測(cè)試 主要因素
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VIO的開環(huán)測(cè)試電路
輸入失調(diào)電壓(VIO)是電壓比較器(以下簡(jiǎn)稱比較器)一個(gè)重要的電性能參數(shù)，GB/T 6798－1996中，將其定義為“使輸出電壓為規(guī)定值時(shí)，兩輸入端間所加的直流補(bǔ)償電壓”。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備大都采用“被測(cè)器件(DUT，Device Under Test)－輔助運(yùn)放”的測(cè)試模式。
2012-10-31
VIO 開環(huán)測(cè)試電路
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TI推出新型SoC：簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本
TI推出新型智能電表SoC，可使開發(fā)人員針對(duì)智能電子電表應(yīng)用簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、提高彈性與降低系統(tǒng)成本。它結(jié)合3個(gè)獨(dú)立引擎的完全集成式解決方案，計(jì)量引擎可達(dá)到0.5%的電表等級(jí)準(zhǔn)確度，并支持單相或三相電表。
2012-10-31
TI SoC 智能電表
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聚焦新能源汽車與工業(yè)應(yīng)用 第十二屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)圓滿結(jié)束
在汽車、工業(yè)等領(lǐng)域，低功耗的設(shè)計(jì)已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)的需求，高效的設(shè)計(jì)才能讓產(chǎn)品脫穎而出！但是過壓、過熱、系統(tǒng)老化、操作行為的問題層出不窮，怎樣考慮才能獲得高效的設(shè)計(jì)呢？在第十二屆高能效設(shè)計(jì)研討會(huì)上，TI專家?guī)淼腂MS解決方案，豐寶電子專家?guī)鞱XP最新的MCU解決方案在能源高效利用中的實(shí)...
2012-10-31
高能效設(shè)計(jì) 研討會(huì) 新能源
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COG取代LCD，可減少醫(yī)療系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本
液晶顯示器(LCD)在診斷型醫(yī)療中的應(yīng)用日益頻繁，盡管LCD監(jiān)視器與陰極射線管監(jiān)視器相比具有很多優(yōu)勢(shì)，但是(COG)技術(shù)是LCD設(shè)計(jì)的替代方法，在該技術(shù)中LCD驅(qū)動(dòng)器直接安裝在顯示玻璃上，可為醫(yī)療應(yīng)用提供成本和設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)。
2012-10-31
COG LCD 醫(yī)療
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國(guó)內(nèi)鍺基MOS器件的研究進(jìn)展
對(duì)于高性能的MOS器件而言，良好的界面對(duì)于提升MOS器件的遷移率非常重要，由于high-k/Ge的界面穩(wěn)定性較差，在界面處存在的大量的缺陷形成載流子的散射中心，阻礙了高遷移率的獲得，進(jìn)而嚴(yán)重影響器件的最終性能。本文講述了中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在這一方面研究上的顯著進(jìn)展。
2012-10-31
鍺基 MOS
- 從數(shù)據(jù)中心到邊緣：Supermicro模塊化服務(wù)器解決方案覆蓋全場(chǎng)景AI負(fù)載
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