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東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
2010-04-16
節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
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新一代低VCEsat雙極晶體管
近年來(lái)，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現(xiàn)出雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在為開關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了開關(guān)損耗更小，效率更高的同時(shí)，也贏得了更多的市場(chǎng)空間。
2010-04-16
雙極晶體管 SMD BISS 4
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亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
有力推動(dòng)我國(guó)電子生產(chǎn)行業(yè)制造水平亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
2010-04-16
亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結(jié)論來(lái)源于Bernreuter信息研究公司（以下簡(jiǎn)稱Bernreuter研究）今日發(fā)布的最新研究報(bào)告《太陽(yáng)能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料，但在該市場(chǎng)于2009年轉(zhuǎn)至供過(guò)于求的狀態(tài)之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
多晶硅 面臨 大幅震蕩 Bernreuter
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供貨商節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) 被動(dòng)組件全年缺貨
被動(dòng)組件自去年第四季起供應(yīng)吃緊，廠商即使紛紛拉高產(chǎn)能利用率至滿水位，還是跟不上客戶拉貨的腳步，庫(kù)存逐步見底，國(guó)巨的成品庫(kù)存天數(shù)由上季的23天，到第一季一口氣掉到14天，為歷史最低庫(kù)存量。
2010-04-16
供貨商 節(jié)制擴(kuò)產(chǎn) 被動(dòng)組件 缺貨
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注重用戶界面的iPad改變了電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的游戲規(guī)則
據(jù)iSuppli公司的拆機(jī)分析結(jié)果，蘋果公司的iPad把40%以上的材料成本(BOM)都用在了顯示器、觸摸屏和其它用戶界面部件上面。與傳統(tǒng)產(chǎn)品的電子設(shè)計(jì)相比，iPad可謂離經(jīng)叛道。
2010-04-16
蘋果 iPad 顯示器 觸摸屏 電池 電子設(shè)計(jì)
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