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使用和設計IGBT新方法
目前,在使用和設計IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大,系統(tǒng)龐大,但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。
2013-01-12
IGBT 設計 保護
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二極管如何快速正確的選型
本文將探討一些在選擇正確的二極管時應仔細考慮的典型參數(shù),以及如何應用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。
2013-01-12
二極管 轉(zhuǎn)換器 肖特基管
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使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器為變?nèi)荻O管提供偏置電壓的好處
變?nèi)荻O管在反向偏置電壓下運行,會在PN結(jié)附近形成耗盡區(qū),變反向偏置的水平,就能改變耗盡區(qū)的厚度,從而影響二極管的有效電容。
2013-01-12
數(shù)模轉(zhuǎn)換器 變?nèi)荻O管 偏置電壓
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如何選型壓敏電阻
壓敏電阻屬于關(guān)鍵器件,如何正確的選擇壓敏電阻,要從哪些方面去考慮?對信號傳輸線路,進行ESD防護。
2013-01-11
選型 壓敏電阻 ESD
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用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源
用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源與工頻市電非隔離式穩(wěn)壓電源,盡管在電路上可能帶有危險的電壓,但由于體積小、線路簡單。成本低,故在很多領域已得到較廣泛的應用。
2013-01-10
工頻市電 無電源變壓器 離線式穩(wěn)壓電源
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如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題
目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅,它具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點,下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。
2013-01-10
可控硅 過載
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詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護元件的區(qū)別
對于大型的控制電路,比如LED燈塔的電源控制線路,其保護以及維修都是一個比較復雜的工程。使用TBU方案,是否可以使過壓過流電路保護解決方案設計更輕松呢?本文從傳統(tǒng)的保護元器件入手,對比傳統(tǒng)過流過壓保護元器件和TBU方案的工作方式,深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護元件的區(qū)別及其應用限制...
2013-01-10
TBU 保護元件 TPS
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ESD的保護方法
ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護,可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過,日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。
2013-01-10
ESD 保護 TLP
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詳解開關(guān)電源嘯叫的原因
測試開關(guān)電源或在實驗中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小,或時有時無,其韻律或深沉或刺耳,或變化無常者皆有。
2013-01-10
開關(guān)電源 嘯叫 大電流
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