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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
2021-05-20
SiC功率器件 SiC SBD
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新一代內(nèi)存DDR5帶來了哪些改變？
從增強現(xiàn)實到人工智能、云計算再到物聯(lián)網(wǎng)，5G正在燃爆新技術(shù)增長，同時也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來越大，隨之而來的是存儲和快速訪問需求，DDR5之類的技術(shù)變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲、傳送和處理這些數(shù)據(jù)，推動著高速信令的極限，也給內(nèi)存帶來了前所未有的測試挑戰(zhàn)。
2021-05-20
內(nèi)存DDR5
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電感選型殺手锏——電感電流與電感量
在開關(guān)電源的設(shè)計中電感的設(shè)計給工程師帶來許多的挑戰(zhàn)，工程師不僅要選擇電感值，還要考慮電感可承受的電流、繞線電阻、機械尺寸等等。本文解釋了電感上的DC電流效應(yīng)，為選擇合適的電感提供必要的信息。
2021-05-19
電感 電感量
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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
有源米勒鉗位電路 寄生效應(yīng)
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巧用采樣和保持電路，確保ADC精度
本文介紹了如何使用ADC的采樣和保持 (S&H) 或跟蹤和保持 (T&H) 電路來防止幅度偏差，通過來自Texas Instruments、Maxim Integrated和Analog Devices的針對不同應(yīng)用、具有不同特性的器件實例，討論了S&H IC的特性和選擇標(biāo)準(zhǔn)，并介紹了帶有集成S&H的ADC。
2021-05-18
采樣 保持電路 ADC
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深圳物聯(lián)網(wǎng)展-IOTE 國際物聯(lián)網(wǎng)展
IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運算與平臺層、應(yīng)用層，涉及RFID（無線射頻識別）技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費移動支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...
2021-05-18
深圳物聯(lián)網(wǎng)展
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利用單片機定時器實現(xiàn)信號采樣和PWM控制
PWM控制方式廣泛應(yīng)用于各種控制系統(tǒng)中，但對脈沖寬度的調(diào)節(jié)一般采用硬件來實現(xiàn)。如使用PWM控制器或在系統(tǒng)中增加PWM電路[1]等，則本錢高、響應(yīng)速度慢，而且PWM控制器與系統(tǒng)之間存在兼容題目。另外，控制系統(tǒng)中的信號采樣通常是由A/D轉(zhuǎn)換器來完成，因此檢測精度要求較高時，調(diào)理電路復(fù)雜，而且因A/D的...
2021-05-18
單片機定時器 信號采樣 PWM控制
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倒置降壓器怎樣解決交流電源非隔離反激器的拓?fù)溥x擇？
在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個智能燈開關(guān)，用戶可以通過智能手機的應(yīng)用進行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。
2021-05-17
倒置降壓器 交流電源 非隔離反激器
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晶體管篇之負(fù)載開關(guān)
負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時，向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。
2021-05-17
晶體管 負(fù)載開關(guān)
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