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業(yè)績(jī)預(yù)告披露加速 電子信息產(chǎn)業(yè)搶眼
進(jìn)入7月份以來(lái)，上市公司披露上半年業(yè)績(jī)預(yù)告的公司明顯增多。7月1日至7月5日就有31家公司披露上半年經(jīng)營(yíng)情況，相比之下5月份只有4家公司，6月份有41家公司，其余631家公司的上半年業(yè)績(jī)預(yù)告均在4月30日之前披露。
2010-07-08
電子信息 器件 電子材料 電子元件
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液晶電視需求優(yōu)TAC薄膜新廠已正式竣工進(jìn)行投產(chǎn)
該座第7工廠位于神戶市，總投資額約180億日?qǐng)A，除可生產(chǎn)寬度大于2米的TAC薄膜之外，亦將生產(chǎn)可增廣視角的VA-TAC膜(視角擴(kuò)張膜)，總年產(chǎn)量約為5,000萬(wàn)平方公尺；合并Konica Minolta原有的6座工廠產(chǎn)能(約2.2億平方公尺)計(jì)算，則Konica Minolta TAC薄膜年產(chǎn)能將達(dá)2.7億平方公尺。
2010-07-08
液晶電視 TAC薄膜 VA-TAC膜
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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源（SMPS）及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
2010-07-08
IR PQFN封裝 銅夾技術(shù) MOSFET
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VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險(xiǎn)絲
TFU 0603薄膜扁平片狀保險(xiǎn)絲采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達(dá)4A的電流以及35A的斷流容量。該保險(xiǎn)絲為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器，電池充電器和低壓電源提供二級(jí)過(guò)流保護(hù)，器件符合關(guān)于有害物質(zhì)的法律條令的CEFIC-EECA-EICTA清單。器件數(shù)量超過(guò)500萬(wàn)的價(jià)格為...
2010-07-08
VISHAY 薄膜平坦片狀 保險(xiǎn)絲
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多晶硅價(jià)格重拾升勢(shì) 生產(chǎn)商擔(dān)憂成本壓力增加
日前，我國(guó)部分省市取消針對(duì)多晶硅項(xiàng)目的優(yōu)惠電價(jià)，導(dǎo)致多晶硅生產(chǎn)成本提升，加上全球光伏產(chǎn)品需求超預(yù)期，國(guó)內(nèi)多晶硅尤其是高純多晶硅的供應(yīng)又呈現(xiàn)供不應(yīng)求的苗頭。對(duì)此，不少晶硅電池生產(chǎn)商擔(dān)憂多晶硅價(jià)格的提升會(huì)帶來(lái)成本壓力的增加。
2010-07-08
多晶硅 高耗能 光伏
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2010年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)
由于消費(fèi)產(chǎn)品需求回升，iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)上調(diào)了2.8個(gè)百分點(diǎn)。
2010-07-08
純晶圓代工 營(yíng)業(yè)收入 增長(zhǎng) iSuppli
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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恩智浦新增高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海及波士頓近郊
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國(guó)上海以及美國(guó)馬塞諸塞州比爾里卡市（近波士頓）開設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。
2010-07-07
恩智浦 高性能射頻 上海 波士頓近郊
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